[实用新型]一种晶格匹配的六结太阳能电池

权利要求书

1.一种晶格匹配的六结太阳能电池，包括有Ge衬底，其特征在于：所述Ge衬底为p型Ge单晶片；在所述Ge衬底上面按照层状叠加结构由下至上依次设置有GaInAs/GaInP缓冲层、AlGaAs/GaInAsDBR、Ga_1-3xIn_3xN_xAs_1-x子电池、AlAs/AlGaAsDBR、Ga_1-3yIn_3yN_yAs_1-y子电池、GaInAs子电池、AlGaInAs子电池和AlGaInP子电池；所述GaInAs/GaInP缓冲层和AlGaAs/GaInAsDBR之间通过第一隧道结连接，所述Ga_1-3xIn_3xN_xAs_1-x子电池和AlAs/AlGaAsDBR通过第二隧道结连接，所述Ga_1-3yIn_3yN_yAs_1-y子电池和GaInAs子电池通过第三隧道结连接，所述GaInAs子电池和AlGaInAs子电池通过第四隧道结连接，所述AlGaInAs子电池和AlGaInP子电池通过第五隧道结连接；其中，所述AlGaAs/GaInAsDBR用于反射长波光子，所述AlAs/AlGaAsDBR用于反射中长波光子。

2.根据权利要求1所述的一种晶格匹配的六结太阳能电池，其特征在于：所述AlGaAs/GaInAsDBR的反射波长为1250～1350nm，该AlGaAs/GaInAsDBR中AlGaAs/GaInAs组合层的对数为10～30对。

3.根据权利要求1所述的一种晶格匹配的六结太阳能电池，其特征在于：所述Ga_1-3xIn_3xN_xAs_1-x子电池中Ga_1-3xIn_3xN_xAs_1-x材料的光学带隙为0.90～0.95eV。

4.根据权利要求1所述的一种晶格匹配的六结太阳能电池，其特征在于：所述AlAs/AlGaAsDBR的反射波长为900～1100nm，该AlAs/AlGaAsDBR中AlAs/AlGaAs组合层的对数为10～30对。

5.根据权利要求1所述的一种晶格匹配的六结太阳能电池，其特征在于：所述Ga_1-3yIn_3yN_yAs_1-y子电池中Ga_1-3yIn_3yN_yAs_1-y材料的光学带隙为1.10～1.15eV。

6.根据权利要求1所述的一种晶格匹配的六结太阳能电池，其特征在于：所述GaInAs子电池中GaInAs材料的光学带隙为1.4eV。

7.根据权利要求1所述的一种晶格匹配的六结太阳能电池，其特征在于：所述AlGaInAs子电池中AlGaInAs材料的光学带隙为1.70～1.75eV。

8.根据权利要求1所述的一种晶格匹配的六结太阳能电池，其特征在于：所述AlGaInP子电池中AlGaInP材料的光学带隙为2.10～2.15eV。