[实用新型]溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置有效

专利信息
申请号: 201520929753.0 申请日: 2015-11-20
公开(公告)号: CN205188424U 公开(公告)日: 2016-04-27
发明(设计)人: 史进;伍志军 申请(专利权)人: 苏州赛森电子科技有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/50;C23C14/54
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 顾进
地址: 215699 江苏省苏州市张*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 溅射 工艺 中的 批量 硅片 衬底 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置,其包括有用于放置硅片的放置盘;其特征在于,所述放置盘的底端面设置有多个加热孔,加热孔连通至设置在放置盘外部的加热管道,加热管道连接有加热源;所述放置盘之中设置有在水平方向上延伸的滤网,滤网的边部设置有支撑边框,支撑边框固定设置于放置盘的侧端面;所述放置盘之中,支撑边框的底端部设置有多个振动电机,多个振动电机关于支撑边框的轴线成旋转对称。

2.按照权利要求1所述的溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置,其特征在于,所述支撑边框的底端部设置有至少3个振动电机。

3.按照权利要求2所述的溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置,其特征在于,每一个振动电机与放置盘的底端面之间均设置有防热隔板,防热隔板采用弧形结构,其朝向放置盘底端面进行弯曲,所述振动电机设置于防热隔板内部。

4.按照权利要求3所述的溅射工艺中的批量硅片衬底处理装置,其特征在于,所述放置盘的侧端面设置有卸料槽,卸料槽在支撑边框与放置盘的上端部之间进行延伸;所述卸料槽两侧设置有滑槽,卸料槽之中设置有卸料挡板,其延伸至滑槽内部。

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