[实用新型]一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构

权利要求书

1.一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构，其包括上表面附有芯片电极（13）及相应电路布局的芯片单体（10），所述芯片单体（10）的芯片本体（11）的上表面覆盖芯片表面钝化层（15）并开设有芯片表面钝化层开口（151），芯片电极（13）的上表面露出芯片表面钝化层开口（151），

其特征在于：还包括薄膜包封体（3），一个或一个以上所述芯片单体（10）由背面嵌入薄膜包封体（3）内，在所述芯片单体（10）的上表面和薄膜包封体（3）的上表面覆盖绝缘薄膜层Ⅰ（51），并于所述芯片电极（13）的上表面开设绝缘薄膜层Ⅰ开口（511），在绝缘薄膜层Ⅰ（51）的上表面选择性地形成不连续的再布线金属层（41）和绝缘薄膜层Ⅱ（52），所述再布线金属层（41）填充绝缘薄膜层Ⅰ开口（511），所述再布线金属层（41）与每一所述芯片电极（13）实现电性连接，并选择性地实现两个以上关联的所述芯片电极之间的电性连接，在再布线金属层（41）的最外层设有输入/输出端（411），所述绝缘薄膜层Ⅱ（52）覆盖再布线金属层（41）并露出其输入/输出端（411），在所述输入/输出端（411）处形成连接件（6），所述薄膜包封体（3）的背面设置硅基加强板（7），所述硅基加强板（7）面向薄膜包封体（3）的一面设置结合结构。

2.根据权利要求1所述的一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构，其特征在于：所述结合结构为复数个凸出或者凹陷于所述硅基加强板（7）面向薄膜包封体（3）的那面的纹理结构。

3.根据权利要求1或2所述的一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构，其特征在于：所述结合结构为棱状结构、点状结构、波纹状结构的一种或任意几种的组合。

4.根据权利要求1所述的一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构，其特征在于：所述硅基加强板（7）的厚度范围为不大于200微米。

5.根据权利要求4所述的一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构，其特征在于：所述硅基加强板（7）的厚度范围为50～100微米。

6.根据权利要求1所述的一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构，其特征在于：所述再布线金属层（41）为单层或多层。

7.根据权利要求1或6所述的一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构，其特征在于：所述再布线金属层（41）的输入/输出端（411）设置于芯片单体的垂直区域的外围。

8.根据权利要求1所述的一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构，其特征在于：所述绝缘薄膜层Ⅰ开口（511）内植入金属柱，所述金属柱连接再布线金属层与镍/金层（17）。

9.根据权利要求1或8所述的一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构，其特征在于：所述绝缘薄膜层Ⅰ开口（511）的尺寸不大于芯片表面钝化层开口的尺寸。

10.根据权利要求1所述的一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构，其特征在于：所述连接件（6）是焊球凸点、焊块或金属块。