[实用新型]一种无焊球的芯片嵌入式封装结构有效
| 申请号: | 201520928381.X | 申请日: | 2015-11-20 |
| 公开(公告)号: | CN205122578U | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
| 发明(设计)人: | 张黎;龙欣江;赖志明;陈栋;陈锦辉 | 申请(专利权)人: | 江阴长电先进封装有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/49;H01L23/538;H01L23/31;H01L23/373;H01L21/48;H01L21/768;H01L21/56 |
| 代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 赵华 |
| 地址: | 214429 江苏省无锡市江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 无焊球 芯片 嵌入式 封装 结构 | ||
1.一种无焊球的芯片嵌入式封装结构,其包括上表面附有芯片电极(13)及相应电路布局的芯片单体,所述芯片单体的芯片本体(11)的上表面覆盖芯片表面钝化层(15)并开设有芯片表面钝化层开口(151),芯片电极(13)的上表面露出芯片表面钝化层开口(151),
其特征在于:还包括薄膜包封体(3),一个或一个以上所述芯片单体由背面嵌入薄膜包封体(3)内,在所述芯片单体的上表面和薄膜包封体(3)的上表面覆盖绝缘薄膜层Ⅰ(51),并于所述芯片电极(13)的上表面开设绝缘薄膜层Ⅰ开口(511),在所述芯片表面钝化层开口(151)内填充先形成镍层再形成金层的镍/金层,
在绝缘薄膜层Ⅰ(51)的上表面形成再布线金属层(41)和绝缘薄膜层Ⅱ(52),所述再布线金属层(41)填充绝缘薄膜层Ⅰ开口(511),所述再布线金属层(41)通过镍/金层与每一所述芯片电极实现电性连接,并选择性地实现两个以上关联的所述芯片电极之间的电性连接,在再布线金属层(41)的最外层设有输入/输出端(411),所述绝缘薄膜层Ⅱ(52)覆盖再布线金属层(41)并露出输入/输出端(411),在所述输入/输出端(411)处设置金属凸块(6),
所述薄膜包封体(3)的背面设置硅基加强板(7),所述硅基加强板(7)面向薄膜包封体(3)的一面设置结合结构。
2.根据权利要求1所述的一种无焊球的芯片嵌入式封装结构,其特征在于:所述结合结构为复数个凸出或者凹陷于所述硅基加强板面向薄膜包封体的那面的纹理结构。
3.根据权利要求1或2所述的一种无焊球的芯片嵌入式封装结构,其特征在于:所述结合结构为棱状结构、点状结构、波纹状结构的一种或任意几种的组合。
4.根据权利要求1所述的一种无焊球的芯片嵌入式封装结构,其特征在于:所述金属凸块(6)是依次形成铜层、镍层、金层的铜/镍/金凸块。
5.根据权利要求1所述的一种无焊球的芯片嵌入式封装结构,其特征在于:所述再布线金属层(41)为单层或多层。
6.根据权利要求1或5所述的一种无焊球的芯片嵌入式封装结构,其特征在于:所述再布线金属层(41)的输入/输出端(411)设置于芯片单体(10)的垂直区域的外围。
7.根据权利要求1所述的一种无焊球的芯片嵌入式封装结构,其特征在于:所述硅基加强板(7)的厚度范围为不大于200微米。
8.根据权利要求7所述的一种无焊球的芯片嵌入式封装结构,其特征在于:所述硅基加强板(7)的厚度范围为50~100微米。
9.根据权利要求1所述的一种无焊球的芯片嵌入式封装结构,其特征在于:所述绝缘薄膜层Ⅰ开口(511)内植入金属柱,所述金属柱连接再布线金属层与镍/金层。
10.根据权利要求1或9所述的一种无焊球的芯片嵌入式封装结构,其特征在于:所述绝缘薄膜层Ⅰ开口(511)的尺寸不大于芯片表面钝化层开口(151)的尺寸。
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