[实用新型]一种能防止MOCVD反应过程中晶圆片翘曲的结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体设备制造的技术领域，尤其是指一种能防止MOCVD 反应过程中晶圆片翘曲的结构。

背景技术

能源是人类生存和发展的重要物质基础，也是当今国际政治、经济、军事、 外交关注的焦点。随着人口的增加和工业化进程的加快，世界各国对能源的需 求越来越大，能源短缺的状况会越来越明显。与此同时，化石能源开发利用带 来的环境污染问题也日趋严重，给社会经济发展和人类健康带来了严重影响。 提高能源使用效率，降低能耗，发展新能源产业异常重要。

随着MOCVD技术的成熟，出于成本及生长均匀性考虑，晶圆片由传统的2 英寸、4英寸逐渐往6英寸甚至8英寸发展。由于晶圆片厚度较薄，在MOCVD 反应炉高温环境下，过大尺寸的晶圆片容易引发本身的翘曲，从而影响外延膜 层生长的均匀性，降低成品率和稳定性，并影响后续芯片制备工艺。总之，现 有MOCVD设备暂无有效的构造来避免大尺寸晶圆片的高温翘曲问题。

发明内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足与缺点，提供一种能防止MOCVD 反应过程中晶圆片翘曲的结构，能有效避免大尺寸晶圆片因自身太薄及尺寸较 大引发的翘曲问题。

为实现上述目的，本实用新型所提供的技术方案为：一种能防止MOCVD反 应过程中晶圆片翘曲的结构，包括反应腔室、托盘、钼旋转盘、磁流体轴、磁 流体、密封罩；所述反应腔室为一密闭腔体，其内部气压恒定；所述托盘和钼 旋转盘上下叠置地置于反应腔室内，且该托盘的底面与钼旋转盘的顶面紧密贴 合；所述托盘的顶面上挖设有多个沿其周向间隔均布的平整凹坑，用于安装晶 圆片，所述平整凹坑的形状大小与晶圆片相匹配，晶圆片吸附在平整凹坑上后， 其整体高度低于凹坑深度，所述托盘内形成有贯通凹坑坑底中心与托盘底面的 第一抽真空通道，且一个平整凹坑配置有一条第一抽真空通道，每个平整凹坑 的坑底均挖设有多条围绕凹坑中心沿凹坑周向均布的第一长条形槽，且每条第 一长条形槽均与相应凹坑的第一抽真空通道连通，所述托盘的底面中心开设有 一个盲孔，该托盘底面上还挖设有多条围绕盲孔沿托盘周向均布的第二长条形 槽，所述第二长条形槽与盲孔连通，其数量应与第一抽真空通道数量相一致， 且一条第二长条形槽与一条第一抽真空通道连通；所述钼旋转盘内形成有贯通 其顶面和底面中心的第二抽真空通道，且所述第二抽真空通道与托盘底面中心 处的盲孔连通；所述磁流体轴的一端竖直伸进反应腔室内与钼旋转盘连接，其 另一端从反应腔室底部中心的通孔外伸出反应腔室，并装配上磁流体，可通过 磁流体驱动旋转，所述磁流体的一端封堵该反应腔室底部中心的通孔，其另一 端连接有密封罩，所述磁流体轴外伸出的一端穿过磁流体后伸进密封罩内，该 磁流体轴内形成有贯通其两轴端面的第三抽真空通道，且该第三抽真空通道与 上述第二抽真空通道连通，所述密封罩通过气管与外界抽真空装置相连。

所述磁流体的两端均通过氟橡胶O型圈密封。

本实用新型与现有技术相比，具有如下优点与有益效果：

本实用新型结构能有效防止大尺寸晶圆片在高温下的形变翘曲，可为外延 膜层生长提供平整晶圆片。具体是，在密闭的反应腔室中，晶圆片置于托盘的 平整凹坑，晶圆片上表面压力和反应腔室相同，而晶圆片下表面则由抽真空装 置进行抽真空吸附，在工作时，晶圆片下表面被抽至低压状态，通过上、下表 面的压差力，克服高温对晶圆片的形变力，从而有效防止大尺寸晶圆片翘曲， 使晶圆片始终平贴紧在托盘的平整凹坑中。

附图说明

图1为本实用新型的整体剖视图。

图2为图1的A局部放大图。

图3为图1的B局部放大图。

图4为托盘的整体剖视图。

图5为托盘的俯视图。

图6为托盘的仰视图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型作进一步说明。