[实用新型]一种紫外LED器件

说明书

技术领域

本实用新型属于LED封装技术，具体涉及一种紫外LED器件结构，可提高紫外LED封装效率与可靠性。

背景技术

对于大功率LED封装而言，为了保护LED芯片，同时降低界面全反射，提高LED出光效率，通常在LED芯片表面涂覆一层折射率较高的封装胶(环氧树脂或硅胶)。此外，为了得到白光LED，一般将荧光粉与封装胶混合，然后涂覆在蓝光LED芯片上。但对于紫外LED芯片封装而言，封装胶很容易受到紫外光辐射而老化，使发光效率降低，影响LED器件性能与可靠性。因此，对于紫外LED封装(特别是波长小于300nm的深紫外LED的封装)，必须采用无胶的封装方案。由于玻璃具有物化性能稳定(如耐热性和抗湿性好，透明度高，耐腐蚀等)、生产工艺简单、成本低等优点，是一种非常理想的光学材料。近年来，国内外开始采用玻璃取代高分子胶来封装LED，特别是紫外LED器件封装。但对于采用玻璃封装LED芯片而言，必须解决玻璃片与芯片基座间的焊接难题。由于焊接前LED芯片已完成固晶和打线过程，焊接工艺温度受到很大限制(LED芯片承受温度低于260℃，时间低于3秒)。采用粘胶工艺虽然温度低，但难以形成气密封装，影响LED器件性能与可靠性。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是：本实用新型提供一种紫外LED器件，所述紫外LED器件实现全无机气密封装，耐紫外、耐潮湿、耐腐蚀，气密性好。

本实用新型解决其技术问题的解决方案是：一种紫外LED器件，包括陶瓷基座、紫外LED芯片、玻璃盖板，所述陶瓷基座具有一容腔，容腔上部设有一凹槽，所述紫外LED芯片固定于容腔底部，所述玻璃盖板位于所述凹槽内，所述陶瓷基座的凹槽侧壁设有金属层一，所述玻璃盖板的外周具有金属层二，通过金属层一和金属层二的熔封实现紫外LED器件的气密封接。

作为本实用新型所述技术方案的一种改进，所述陶瓷基座为氧化铝陶瓷基座。

作为本实用新型上述技术方案的一种改进，所述玻璃盖板为硼硅玻璃盖板或钠钙硅玻璃盖板。

作为本实用新型所述技术方案的一种改进，所述金属层一为铜膜层、锡膜层或银膜层。

作为本实用新型所述技术方案的一种改进，所述金属层一的厚度为10-30μm。

作为本实用新型所述技术方案的一种改进，所述金属层二为锡基合金材料层。

作为本实用新型所述技术方案的一种改进，所述金属层二为Sn、CuSn、SnAgCu、AuSn或AgSn金属层。

作为本实用新型所述技术方案的一种改进，所述金属层二的厚度为10~200μm。

作为本实用新型所述技术方案的一种改进，所述容腔内填充有保护性气体或者真空。

本实用新型的有益效果是：本实用新型通过在陶瓷基座和玻璃盖板的结合部，设置金属层，通过金属层的低温熔封可以实现紫外LED芯片的全无机封装，气密性好，耐腐蚀，耐紫外，延长了器件使用寿命。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单说明。显然，所描述的附图只是本实用新型的一部分实施例，而不是全部实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他设计方案和附图。

图1是本实用新型的紫外LED器件结构示意图；

图2是本实用新型的紫外LED器件装配示意图。

具体实施方式

以下将结合实施例和附图对本实用新型的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整的描述，以充分地理解本实用新型的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本实用新型的一部分实施例，而不是全部实施例，基于本实用新型的实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本实用新型保护的范围。另外，文中所提到的所有联接/连接关系，并非单指构件直接相接，而是指可根据具体实施情况，通过添加或减少联接辅件，来组成更优的联接结构。本实用新型创造中的各个技术特征，在不互相矛盾冲突的前提下可以交互组合。

参照图1~2，一种紫外LED器件，包括陶瓷基座2、紫外LED芯片3、玻璃盖板1，陶瓷基座2具有一容腔4，容腔4上部设有一凹槽5，紫外LED芯片3固定于容腔4底部，玻璃盖板1位于凹槽5内，陶瓷基座的凹槽5的侧壁设有金属层一6，玻璃盖板1的外周具有金属层二7，通过金属层一6和金属层二7的熔封实现紫外LED器件的气密封接。