[实用新型]一种具有静电防护结构的移位寄存器及ASG驱动电路

权利要求书

1.一种具有静电防护结构的移位寄存器，包括一静电防护结构、上拉模块、下拉模块、输出模块、复位模块；

其中，

所述上拉模块包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及第三薄膜晶体管；

所述下拉模块包括第四薄膜晶体管和第一电容；

所述输出模块包括第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管以及第二电容；

所述复位模块包括第八薄膜晶体管和第九薄膜晶体管。

2.根据权利要求1所述的一种具有静电防护结构的移位寄存器，所述上拉模块还包括所述触发信号输入端、高电平信号输入端、低电平信号输入端；

其中，

所述第一薄膜晶体管的控制端电连接所述触发信号输入端，所述第一薄膜晶体管的第一端电连接所述高电平信号输入端，所述第一薄膜晶体管的第二端电连接上拉节点；

所述第二薄膜晶体管的控制端接收触发信号，所述第二薄膜晶体管的第二端电连接所述上拉节点，所述第二薄膜晶体管的第一端电连接所述低电平信号输入端；

所述第三薄膜晶体管的控制端电连接下拉节点，所述第三薄膜晶体管的第二端电连接所述上拉节点，所述第三薄膜晶体管的第一端电连接所述低电平信号输入端。

3.根据权利要求1所述的一种具有静电防护结构的移位寄存器，所述静电防护结构包括一开关元件，所述开关元件的控制端接收控制信号，所述开关元件的第一端电连接所述触发信号输入端，所述开关元件的第二端电连接低电平信号输入端或接地。

4.根据权利要求3所述的一种具有静电防护结构的移位寄存器，所述开关元件为薄膜晶体管或者为金属氧化物半导体场效应管。

5.根据权利要求1所述的一种具有静电防护结构的移位寄存器，所述下拉模块还包括第二时钟信号输入端与所述低电平信号输入端；

其中，

所述第一电容的第一极板电连接所述第二时钟信号输入端，所述第一电容的第二极板电连接所述下拉节点；

所述第四薄膜晶体管的控制端电连接所述上拉节点，所述第四薄膜晶体管的第二端电连接所述下拉节点，所述第四薄膜晶体管的第一端电连接所述低电平信号输入端。

6.根据权利要求1所述的一种具有静电防护结构的移位寄存器，所述输出模块还包括第一时钟信号输入端、第二时钟信号输入端与所述低电平信号输入端；

其中，

所述第五薄膜晶体管的控制端电连接所述上拉节点，所述第五薄膜晶体管的第一端电连接所述第二时钟信号输入端，所述第五薄膜晶体管的第二端电连接控制信号输出端；

所述第六薄膜晶体管的控制端电连接所述下拉节点，所述第六薄膜晶体管的第一端电连接所述低电平信号输入端，所述第六薄膜晶体管的第二端电连接所述控制信号输出端；

所述第七薄膜晶体管的控制端电连接所述第一时钟信号输入端，所述第七薄膜晶体管的第一端电连接所述低电平信号输入端，所述第七薄膜晶体管的第二端电连接所述控制信号输出端；

所述第二电容的第一极板电连接所述上拉节点，所述第二电容的第二极板电连接所述控制信号输出端。

7.根据权利要求1所述的一种具有静电防护结构的移位寄存器，所述复位模块还包括复位信号输入端以及所述低电平信号输入端；

其中，

所述第八薄膜晶体管的控制端电连接所述复位信号输入端，所述第八薄膜晶体管的第二端电连接所述上拉节点，所述第八薄膜晶体管的第一端电连接所述低电平信号输入端；

所述第九薄膜晶体管的控制端电连接所述复位信号输入端，所述第九薄膜晶体管的第二端电连接所述上拉节点，所述第九薄膜晶体管的第一端电连接所述低电平信号输入端。

8.一种ASG驱动电路，包括至少一级如权利要求1-7所述的级联的具有静电防护结构的移位寄存器，其中，所述第二薄膜晶体管的控制端接收的所述触发信号为上一级移位寄存器的输出信号。