[实用新型]一种紧凑型D-D中子发生器

权利要求书

1.一种紧凑型D-D中子发生器，包括：真空腔体；离子源系统；束流引出加速系统；靶系统；高压馈入系统及真空泵系统；其中由离子源产生的离子束流被引出、加速并与靶系统上的氘靶发生D-D聚变核反应放出中子，其特征在于真空腔体为一段管状构件，其两端分别用离子源阳极法兰和第二法兰与离子源系统和束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统实现联接，真空腔体与离子源阳极法兰和高压馈入系统法兰间分别通过第一和第二“O”型圈实现真空密封，同时由真空泵系统抽气保持真空腔体内为高真空，所述的离子源为双等离子源，其内通有D气体。

2.根据权利要求1所述的一种紧凑型D-D中子发生器，其特征在于：所述的真空腔体用不锈钢制造，其管壁上设置有连通真空泵的管路，且真空腔体接地；所述的束流引出加速系统包括：一个由不锈钢制成的引出加速电极，由高压馈入系统将负高压馈入到引出加速电极上，在离子源阳极和引出加速电极之间形成电场，从离子源中引出并加速D离子束，D离子束穿过引出加速电极孔到靶上。

3.根据权利要求2所述的一种紧凑型D-D中子发生器，其特征在于：引出加速电极为一筒状结构，筒状的引出加速电极内的筒底上与离子源的离子输出位置相对应位置开设有一个供离子进入并作用于靶材上的准直孔，靶系统设置于筒状的引出加速电极内，所述的靶系统包括靶托、靶片和靶片安装法兰构成，靶片用靶片安装法兰和第三“O”型密封圈安装在靶托上，靶托上设有与冷却管道连通的冷却槽，冷却液经冷却管道和冷却槽对靶片进行良好冷却。

4.根据权利要求3所述的一种紧凑型D-D中子发生器，其特征在于：高压馈入系统包括：其两端带有凸缘的管状陶瓷高压绝缘构件、用于固定引出加速电极并实现电联接的第一法兰、第二法兰和高压电缆，其中：管状陶瓷高压绝缘构件的两端凸缘与引出加速电极法兰和高压馈入系统法兰间分别用活套法兰和螺钉固定安装，管状陶瓷高压绝缘构件的两端凸缘与活套法兰间用第四“O”型密封圈实现真空密封；管状陶瓷高压绝缘构件的内腔插入高压电缆；高压电缆的外缘设置有冷却液管道，管状陶瓷构件的内腔与高压电缆外缘和冷却管道的间隙间充有绝缘介质，以实现该区域的良好高压绝缘性能。

5.根据权利要求4所述的一种紧凑型D-D中子发生器，其特征在于冷却液管道为绝缘材料制成的绕于高压电缆外缘的两层螺旋状管道。

6.根据权利要求3至5所述的任一种紧凑型D-D中子发生器，其特征在于圆筒形真空腔体壁上和筒状束流引出加速电极的筒壁上相对应位置分别设置有中子输出窗口。