[实用新型]中子捕获治疗系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种中子捕获治疗系统，尤其涉及一种能够更换中子产生部的中子捕获 治疗系统。

背景技术

随着原子科学的发展，例如钴六十、直线加速器、电子射束等放射线治疗已成为癌症治 疗的主要手段之一。然而传统光子或电子治疗受到放射线本身物理条件的限制，在杀死肿瘤 细胞的同时，也会对射束途径上大量的正常组织造成伤害；另外由于肿瘤细胞对放射线敏感 程度的不同，传统放射治疗对于较具抗辐射性的恶性肿瘤(如：多行性胶质母细胞瘤 (glioblastomamultiforme)、黑色素细胞瘤(melanoma))的治疗成效往往不佳。

为了减少肿瘤周边正常组织的辐射伤害，化学治疗(chemotherapy)中的标靶治疗概念便 被应用于放射线治疗中；而针对高抗辐射性的肿瘤细胞，目前也积极发展具有高相对生物效 应(relativebiologicaleffectiveness,RBE)的辐射源，如质子治疗、重粒子治疗、中子捕获治 疗等。其中，中子捕获治疗便是结合上述两种概念，如硼中子捕获治疗，借由含硼药物在肿 瘤细胞的特异性集聚，配合精准的中子射束调控，提供比传统放射线更好的癌症治疗选择。

在加速器硼中子捕获治疗中，用于和质子束发生核反应而产生中子束的中子产生部需要 经受加速质子的照射及放射化会产生一定程度的损坏，而中子产生部对产生的中子射束的品 质有非常重要的影响，为了降低中子产生部对中子射束品质的影响，须定期更换中子产生部。

然而，现有技术中的加速器硼中子捕获治疗缓速体大多为圆柱体，中子产生部通常设置 在一定深度的缓速体中，当中子产生部受到损坏需要更换时，必须采取较多个步骤将其拆卸 下来，这就会导致中子产生部的更换工作不易进行。

因此，实有必要提供一种新的技术方案以解决上述问题。

实用新型内容

为了解决上述问题，本实用新型的一个方面提供一种中子捕获治疗系统，包括射束整形 体，所述射束整形体包括射束入口、设于射束整形体内的中子产生部、邻接于中子产生部的 缓速体、包围在中子产生部和缓速体外的反射体及射束出口，所述中子产生部与自所述射束 入口入射的质子束发生核反应以产生中子，所述缓速体将自所述中子产生部产生的中子缓速， 所述反射体将偏离的中子导回至所述缓速体以提高超热中子射束强度，所述射束整形体包括 至少一个能够向远离或者靠近中子产生部方向运动的活动件，所述活动件在第一位置和第二 位置之间运动，当活动件位于第一位置时，中子产生部能够被更换；当活动件位于第二位置 时，当活动件位于第二位置时，中子产生部不能够被更换。

进一步地，为了便于中子产生部的更换，作为一种优选地，所述活动件为部分反射体或 者部分反射体与部分缓速体的组合。

进一步地，为了便于中子产生部的取出，所述活动件具有对称平面，所述活动件沿该对 称平面对称，所述中子产生部具有轴线，所述活动件的对称平面经过所述中子产生部的轴线， 所述反射体具有第一直线高度，所述活动件具有第二直线高度，所述中子产生部具有第三直 线高度，所述第二直线高度小于或者等于第一直线高度而大于第三直线高度。

进一步地，当所述活动件的第二直线高度等于反射体的第一直线高度时，如果活动件和 反射体之间的结合面是平面与平面之间的连接，在进行中子捕获治疗的过程中产生的辐射就 会通过该结合面泄露，作为一种优选地，所述反射体具有第一连接部，所述第一连接部具有 第一连接面和第一结合面，所述活动件具有第二连接部，所述第二连接部具有第二连接面和 第二结合面，当活动件的第二直线高度小于反射体的第一直线高度而大于中子产生部的第三 直线高度时，所述反射体的第一连接面与第一结合面重合，所述活动件的第二连接面与第二 结合面重合，所述活动件的第二结合面与反射体的第一结合面连接且与所述加中子产生部轴 线所在的任意一个平面重合。

进一步地，所述反射体具有第一连接部，所述第一连接部具有第一连接面和第一结合面， 所述活动件具有第二连接部，所述第二连接部具有第二连接面和第二结合面，当所述活动件 的第二直线高度等于反射体的第一直线高度时，所述第一连接面和第一结合面连接但位于不 同平面，所述第二连接面与第二结合面连接但位于不同平面，所述第一连接面与第二连接面 连接，第一结合面与第二结合面连接。