[实用新型]一种带静电液雾清洗装置有效
申请号: | 201520899117.8 | 申请日: | 2015-11-11 |
公开(公告)号: | CN205092223U | 公开(公告)日: | 2016-03-16 |
发明(设计)人: | 冯晓敏;吴仪 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 陶金龙;张磊 |
地址: | 100016 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静电 清洗 装置 | ||
1.一种带静电液雾清洗装置,其特征在于,包括一本体,所述本体内设有一液体流道,环绕液体流道设有气体缓冲腔,所述液体流道连通本体下端面设有的液体出口,所述气体缓冲腔连通本体下端面环绕液体出口密布设置的多数个气体出口,所述液体流道、气体缓冲腔各自连通本体上设有的液体进口、气体进口;其中,通过由液体进口通入清洗液体,经液体流道从液体出口喷出,形成雾化液滴,由气体进口通入带电离子风,经气体缓冲腔从气体出口喷出,接触使雾化液滴带电,以对其下方晶圆进行冲洗及去除晶圆表面的静电。
2.根据权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述液体流道垂直设于本体内,其具有一段先逐渐扩张、再逐渐收缩至液体出口的液体缓冲腔,所述液体流道连通本体上端面设置的液体进口。
3.根据权利要求1或2所述的清洗装置,其特征在于,所述液体出口为孔形。
4.根据权利要求1或2所述的清洗装置,其特征在于,所述液体出口包括一中心孔以及环绕中心孔设置的环形狭缝。
5.根据权利要求4所述的清洗装置,其特征在于,所述环形狭缝朝向中心孔的外侧向下倾斜设置。
6.根据权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述本体侧部设有一至若干个气体进口,所述气体进口按与本体垂直轴向成一定夹角向下倾斜设置,并连通气体缓冲腔。
7.根据权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述本体侧部设有一至若干个气体进口,所述气体进口按与气体缓冲腔的水平切向设置,并连通气体缓冲腔。
8.根据权利要求1、6或7所述的清洗装置,其特征在于,所述气体缓冲腔包括上下连通设置的第一、第二气体缓冲腔,所述第一气体缓冲腔连通气体进口,所述第一、第二气体缓冲腔之间具有截面呈收缩形的连通段。
9.根据权利要求8所述的清洗装置,其特征在于,自第一气体缓冲腔向第二气体缓冲腔具有圆滑过渡的腔壁。
10.根据权利要求8所述的清洗装置,其特征在于,所述第一气体缓冲腔的容积小于第二气体缓冲腔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造