[实用新型]一种硅雪崩光电二极管组件

说明书

技术领域

本实用新型涉及紫外探测器技术领域，特别是涉及硅探测器所用的硅雪崩光电二极管技术领域，具体为一种硅雪崩光电二极管组件。

背景技术

在电磁辐射谱中，波长在400nm-780nm的属于可见光，波长在10nm-400nm之间的电磁波为紫外光。其中，400nm-300nm为NUV(近)紫外线，300nm-200nm为MUV(中)紫外线,200nm-122nm为FUV(远)紫外线。紫外探测器件在军事与民用中有广泛的应用，例如，它可以用于火焰探测、导弹预警制导、光电对抗、战场生化试剂探测、生物医学分析、环境污染检测、海上油监、臭氧监测、航天深空探测、紫外保密通信和紫外天文学中。

当今已投入应用的比较常见的紫外探测器有光电倍增管和硅基紫外光电管。光电倍增管器件虽然探测灵敏度高，但是其量子效率低、体积庞大、工作电压高、容易破碎损坏。氮化镓、碳化硅等宽带隙半导体材料虽然也可以制作紫外探测器，但是制作所用的原材料价格较贵，而且制作工艺技术目前还不是很成熟。相比而言，硅材料价格便宜，硅基探测器件制作工艺也很成熟。无论是硅光电二极管、硅PIN探测器、还是硅雪崩光电二极管的制作技术都非常成熟，相应产品已经被广泛应用在军事与民用领域。特别是硅雪崩光电二极管由于具有雪崩效应提供的内部增益，可以将光生电流放大几十、上百、甚至成千上万倍，因而可以探测非常微弱的光信号。但是，硅的禁带宽度较小(常温下为1.1电子伏特)，它适于探测的光波长主要位于可见光波段。不仅进入探测器的紫外光会产生光电流，而且进入硅探测器的可见光也会产生光电流，这对紫外光的探测形成一种严重的干扰，也会导致探测器的紫外/可见光识别比大幅降低，不利于器件对紫外波段光的准确探测。为了解决这个问题，通常需要在硅探测器前端加上复杂的、价格昂贵的滤光系统，或者采用浅结结构和表面杂质浓度很低的所谓硅紫外增强型探测器，但是这类器件的制作工艺要求很高。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种硅雪崩光电二极管组件，用于解决现有技术中硅探测器容易受可见光干扰的技术问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种硅雪崩光电二极管组件，所述硅雪崩光电二极管组件包括：硅雪崩光电二极管和距离所述硅雪崩光电二极管的衬底至少3倍光波波长处的超材料以使入射光通过所述超材料之后再进入硅雪崩光电二极管，所述超材料的电磁共振波长位于400nm-780nm之间。

优选地，所述超材料是由制作在玻璃基板上的金属层与介质层交替排列所形成的周期性多层结构组成。

优选地，所述超材料的周期性多层结构的层数在3层或3层以上。

优选地，所述金属层为银层。

优选地，所述介质层可为氮化硅层、二氧化钛层、三氧化二铝层或二氧化硅层。

如上所述，本实用新型的一种硅雪崩光电二极管组件，具有以下有益效果：

本实用新型无需使用昂贵的滤波器，也无需使用目前制作工艺技术还不成熟的氮化镓以及铝镓氮探测器。它采用了制作工艺成熟和低成本的硅探测器件，借助超材料对可见光的强烈电磁共振吸收作用，将可见光阻挡在硅雪崩光电二极管之外，从而减小可见光对紫外探测的干扰，实现具有较高紫外/可见光识别比的紫外探测。

附图说明

图1显示为本实用新型的一种硅雪崩光电二极管组件的结构示意图。

图2显示为本实用新型实施例中所述超材料的结构示意图。

图3显示为本实用新型实施例中所述超材料的透射光谱分析图。

元件标号说明

1硅雪崩光电二极管

2超材料

21玻璃基板

22金属层

23氮化硅层

3入射光

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。

本实用新型的目的在于提供一种硅雪崩光电二极管组件，用于解决现有技术中硅探测器容易受可见光干扰的技术问题。以下将详细阐述本实用新型的一种硅雪崩光电二极管组件的原理及实施方式，使本领域技术人员不需要创造性劳动即可理解本实用新型的一种硅雪崩光电二极管组件。

本实施例提供一种硅雪崩光电二极管组件，如图1所示，所述硅雪崩光电二极管组件包括：