[实用新型]一种采用多个场效应管串联的控制电路有效
申请号: | 201520885750.1 | 申请日: | 2015-11-09 |
公开(公告)号: | CN205178877U | 公开(公告)日: | 2016-04-20 |
发明(设计)人: | 俞峰;杨麒麟 | 申请(专利权)人: | 飞毛腿(福建)电子有限公司 |
主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155 |
代理公司: | 厦门龙格专利事务所(普通合伙) 35207 | 代理人: | 吴小波 |
地址: | 350015 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 采用 场效应 串联 控制电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及电子产品的电源电路领域,尤其涉及到一种采用多 个场效应管串联的控制电路。
背景技术
在电子行业,许多电源产品中都需要功率型电子元器件作为电子开 关来实现电路上的导通或关断,这类电子开关主要有继电器、场效应管、 IGBT、三极管等几类,对于超过300V高压的大电流电源电路控制中, 由于场效应管的耐压不够,多数会采用IGBT或继电器进行控制等,其 中的继电器为机械方式控制,具有动作时间慢、驱动耗电大、静态电流 大、触点会因为拉弧磨损而导致寿命短等特点,而IGBT和三极管则通 态压降较大,在大电流情况下功率管温升很高,需要较大功率的散热措 施。
现有的场效应管进行电子电路的通断控制,一般只适用于低压应用 场合或者高压小电流控制的应用场合,当电压达到300V以上,电流超 过50A时,市场上现有的场效应管由于耐压不够而无法使用,只能选用 IGBT或三极管或继电器进行控制,而IGBT或三极管产生的温升很高, 比如50A电流情况下就要产生150W的高热量,继电器的成本很高,是 机械触点,会有高压拉弧磨损,使用寿命短,驱动电流又需要很大,静 态功耗也很大,体积也大,导致在实际应用中有一定的局限性。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述现有技术中的不足之处而提供一 种寿命长、低成本的采用多个场效应管串联的控制电路。
本实用新型是通过如下方式实现的:
一种采用多个场效应管串联的控制电路,其特征在于:包括二个以 上的耐压电路1、同步驱动电路2,两两相邻的二个耐压电路1之间相 串联,且所有的耐压电路的结构均是相同;所述耐压电路1包括场效应 管3、电阻4、电容5,所述场效应管3、电阻4、电容5之间相互并联; 所述场效应管3与同步驱动电路2相连接,同步驱动电路2控制多个场 效应管3同时导通或关断。
本实用新型的有益效果在于:采用多个场效应管串联使用,同时每 个耐压电路中采用电阻和电容来使场效应管所分配到的电压为所控制 的电路的平均电压,实现了高于单个场效应管耐压的电路的通断控制。
附图说明
图1本实用新型结构示意图。
具体实施方式
现结合附图,详述本实用新型具体实施方式:
如图1所示,一种采用多个场效应管串联的控制电路,包括二个以 上的耐压电路1、同步驱动电路2,两两相邻的二个耐压电路1之间相 串联,且所有的耐压电路的结构均是相同;耐压电路1包括场效应管3、 电阻4、电容5,场效应管3、电阻4、电容5之间相互并联;场效应管 3与同步驱动电路2相连接,同步驱动电路2控制多个场效应管3同时 导通或关断。
本实用新型采用多个场效应管3串联使用,同时每个耐压电路1中 采用电阻4和电容5来使场效应管3所分配到的电压为所控制的电路的 平均电压,实现了高于单个场效应管耐压的电路的通断控制。
实施例
如图1所示,以2个300V耐压的场效应管实现500V的电路控制为 例:二个耐压电路相互串联,二个耐压电路中的场效应管分别与同步驱 动电路相连接,同步驱动电路控制二个场效应管同时导通或关断;
每个场效应管(MOSFET)的DS极之间与一个电阻和一个电容并联 后,再将场效应管(MOSFET)之间进行串联,所有场效应管(MOSFET) 的G极都受同步驱动电路来驱动,同步驱动电路,就是指所有场效应管 (MOSFET)的G极驱动是同时进行的,对各场效应管(MOSFET)是同时 进行导通驱动或关断驱动,由于电路中的二个电容是相同参数值,二个 电阻也是相同的参数值,而场效应管(MOSFET)的驱动又是同时的,因 此整个电路回路在场效应管(MOSFET)导通或关断时,每个场效应管 (MOSFET)上承受的电压会是均匀的分配,从而使整个电路在关断时可 以承受的耐压值接近于每个场效应管(MOSFET)耐压的2倍,例如,当 单个场效应管(MOSFET)的耐压为300V时,采用2个场效应管(MOSFET) 串联后,电路上控制的电压可以达到500V以上。
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