[实用新型]一种晶硅太阳能电池有效
| 申请号： | 201520878095.7 | 申请日： | 2015-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN205122600U | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 方结彬;秦崇德;石强;黄玉平;何达能;陈刚 | 申请（专利权）人： | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0288 | 分类号： | H01L31/0288;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) 44283 | 代理人： | 张伶俐 |
| 地址： | 528100 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶硅太阳能电池，其特征在于，所述晶硅太阳能电池从上至下依次包括正电极、氮化硅减反膜、掺杂氮元素的N型硅层、P型硅衬底、铝背场和背电极，P型硅衬底下表面为抛光面，上表面为绒面结构，掺杂氮元素的N型硅层覆盖所述上表面的绒面结构，氮化硅减反膜覆盖在所述掺杂氮元素的N型硅层上。
2.如权利要求1所述一种晶硅太阳能电池，其特征在于，所述绒面结构通过紫外激光在氮气气氛中对硅片进行处理制得。
3.如权利要求1所述一种晶硅太阳能电池，其特征在于，所述氮化硅减反膜的折射率为2.0-2.5。
4.如权利要求1所述一种晶硅太阳能电池，其特征在于，所述氮化硅减反膜的厚度为50nm-100nm。
5.如权利要求1所述一种晶硅太阳能电池，其特征在于，所述正电极的宽度为5-20um。
6.如权利要求1所述一种晶硅太阳能电池，其特征在于，所述氮化硅减反膜采用PECVD的方法沉积在掺杂氮元素的N型硅层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
