[实用新型]低温多晶硅薄膜晶体管、阵列基板、显示面板有效
| 申请号： | 201520875410.0 | 申请日： | 2015-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN205092247U | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 张帅;詹裕程 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈俊;景军平 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜晶体管 阵列 显示 面板 | ||
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括设置在衬底上的有源层、源极、漏极、栅极以及位于所述有源层和所述栅极之间的栅极绝缘层，其特征在于，
所述低温多晶硅薄膜晶体管还包括设置在所述有源层和所述栅极绝缘层之间的氧化石墨烯层。
2.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，
所述氧化石墨烯层的厚度为10-20nm。
3.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，
所述低温多晶硅薄膜晶体管还包括形成在所述衬底上的缓冲层。
4.如权利要求3所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，
所述缓冲层由氧化硅、氮化硅或氮氧化硅形成。
5.如权利要求3所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，
所述缓冲层由氧化硅形成，且厚度为50-100nm。
6.如权利要求3所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，
所述缓冲层由氮化硅形成，且厚度为100-300nm。
7.如权利要求3所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，
所述有源层设置在所述缓冲层上；
所述低温多晶硅薄膜晶体管还包括设置在所述栅极上的层间电介质层；以及
所述源极和所述漏极分别通过贯穿所述氧化石墨烯层、所述栅极绝缘层和所述层间电介质层的过孔连接到所述有源层。
8.如权利要求3所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，
所述栅极设置在所述缓冲层上；
所述低温多晶硅薄膜晶体管还包括设置在所述有源层上的层间电介质层；以及
所述源极和所述漏极分别通过贯穿所述层间电介质层的过孔连接到所述有源层。
9.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，
所述有源层包括掺杂的源极接触区和漏极接触区；
所述源极设置在所述源极接触区上方并且连接到所述源极接触区；以及
所述漏极设置在所述漏极接触区上方并且连接到所述漏极接触区。
10.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-9中任意一项所述的低温多晶硅薄膜晶体管，覆盖所述低温多晶硅薄膜晶体管的平坦化层，以及像素电极，
其中所述像素电极通过贯穿所述平坦化层的过孔连接到所述低温多晶体管薄膜晶体管的所述漏极。
11.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求10所述的阵列基板。
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