[实用新型]耐电磁辐射的晶体管自激逆变器

权利要求书

1.一种耐电磁辐射的晶体管自激逆变器，其特征在于：在RCC电路中，以组合开关达林顿晶体管作为开关器件，采用取样电阻对电流进行取样，进行峰值电流保护，其中，晶体管Q2发射极串联达林顿管Q1基极组成组合开关达林顿管；达林顿管Q1发射极通过取样电阻R14和触发电容C3并联晶体管Q4的集电极，取样电阻R14一端电连接电源负极和电源负极与晶体管阵列Q5引脚10之间的电位器R15，一端通过二极管D2串联的电阻R8连接于晶体管阵列Q5，升压变压器T1的初级绕组L1一端连接二极管D9，另一端连接晶体管Q2和达林顿管Q1集电极的并联接点；升压变压器T1的反馈绕组L2一端连接电阻R1及其串联二极管D6和电阻R13的并联接点，另一端通过晶体管Q3的基极连接电阻R3和晶体管Q3的集电极电连接电阻R9和二极管D7并联接点，晶体管Q3的基极通过二极管D1并联电阻R2；次级绕组L3一端通过整流二极管D10和另一端连接储能电容器C4组成并联回路；通过调节电位器R15的阻值，改变晶体管阵列Q5的引脚10电压值，进而改变晶体管阵列Q5的引脚9电压调整阀值和改变取样电阻上的保护电流峰值，进一步稳定输出。

2.如权利要求1所述的耐电磁辐射的晶体管自激逆变器，其特征在于：晶体管阵列Q5的各脚分别与二极管D3串联的电阻R4、电阻R11、电阻R6、电位器R15、电阻R8、电阻R5、晶体管Q4、二极管D8、电阻R10和电阻R12相连。

3.如权利要求1所述的耐电磁辐射的晶体管自激逆变器，其特征在于：升压变压器采用包含初级绕组、反馈级绕组和次级绕组的三绕组结构。

4.如权利要求3所述的耐电磁辐射的晶体管自激逆变器，其特征在于：初级绕组为逆变器初级导通时的储能电感；次级绕组是初级关断时，电流经整流器件向储能电容充电；反馈级绕组在初级关断时感应次级电压，为由晶体管Q2和达林顿管Q1组成组合开关达林顿管关断提供负压，维持初级关断。

5.如权利要求1所述的耐电磁辐射的晶体管自激逆变器，其特征在于：低压直流电源经二极管D9、电阻R3、升压变压器T1反馈级绕组L2和电阻R13给触发电容C3充电。

6.如权利要求5所述的耐电磁辐射的晶体管自激逆变器，其特征在于：当触发电容C3的电压达到晶体管Q2和达林顿管Q1组成的组合开关达林顿管的基极饱和电压时，组合开关达林顿管饱和导通；通过组合开关达林顿管和取样电阻R14的电流线性增加。

7.如权利要求6所述的耐电磁辐射的晶体管自激逆变器，其特征在于：电阻R14、电阻R8和二极管D2上的电压上升到设定值时，晶体管阵列Q5的3脚输出高电平使晶体管Q4饱和导通，触发电容C3上的电能经晶体管Q4泄放至晶体管Q4的饱压降，关断Q1；升压变压器初级绕组T1中的电流经铁芯转换至升压变压器次级绕组，升压变压器次级绕组的电流经二极管D10给储能电容器充电；当次级绕组的电流下降到零时，升压变压器T1各绕组的电压方向改变，在电源电压的驱动下进行重新开始新一轮的逆变工作。

8.如权利要求1所述的耐电磁辐射的晶体管自激逆变器，其特征在于：电阻R11通过晶体管阵列Q5的引脚12串联二极管D3，电阻R11和二极管D3串联在晶体管阵列Q5的引脚14与引脚11之间，并与电阻R6并联。

9.如权利要求1所述的耐电磁辐射的晶体管自激逆变器，其特征在于：电阻R4一端并联电阻R7和电阻R3，一端并联于电阻R5与二极管D8之间；电位器R15一端电连接电源负极，并与晶体管阵列Q5引脚6并联；晶体管阵列Q5引脚6、7并联通过串联电阻R5、二极管D8、电阻R12电连接电源负极。

10.如权利要求1所述的耐电磁辐射的晶体管自激逆变器，其特征在于：晶体管阵列Q5引脚4电连接晶体管Q4集电极，晶体管Q4通过电阻R10和电源负极经串联电容C2电连接电源正极；电阻R3通过电阻R9与二极管D7的接点和晶体管Q3基极的接点串联二极管D1，二极管D1并联在晶体管Q3集电极与电阻R2之间，电阻R2输出端电连接在升压变压器T1反馈级绕组L2与电阻R1、电阻R13并联接点之间。