[实用新型]电源充电电路

权利要求书

1.一种电源充电电路，包括：

限流电阻，其第一端连接输入电压正端；

输出电容，其第一端连接所述限流电阻的第二端，其第二端连接输入电压负端并接地，所述输入电压正端和输入电压负端之间的电压为输入电压，所述输出电容两端的电压为输出电压；

其特征在于，还包括：

限流输出电路，与所述限流电阻并联，其输入端连接所述输入电压正端，其输出端连接所述输出电容的第一端并输出限流电流。

2.根据权利要求1所述的电源充电电路，其特征在于，所述限流输出电路包括：

内部电源电压生成电路，接收所述输出电压并将其转换为内部电源电压；

偏置电流生成电路，将所述内部电源电压转换为第一偏置电流；

第一电流镜，对所述第一偏置电流进行镜像以得到第二偏置电流；

第二电流镜，对所述第二偏置电流进行镜像以得到所述限制电流。

3.根据权利要求2所述的电源充电电路，其特征在于，所述内部电源电压生成电路包括：

第四电阻，其第一端接收所述输出电压；

第一钳位二极管，其阴极连接所述第四电阻的第二端，其阳极接地；

第四MOS晶体管，其漏极接收所述输出电压，其栅极连接所述第四电阻的第二端，其源极输出所述内部电源电压。

4.根据权利要求2所述的电源充电电路，其特征在于，所述偏置电流生成电路包括：

第五电阻，其第一端接收所述内部电源电压，其第二端输出所述第一偏置电流。

5.根据权利要求2所述的电源充电电路，其特征在于，所述第二电流镜包括：

第二十一MOS晶体管，其源极连接所述限流输出电路的输入端，其漏极接收所述第二偏置电流，其栅极连接所述第二十一MOS晶体管的漏极；

第二十二MOS晶体管，其源极连接所述限流输出电路的输入端，其漏极连接所述限流输出电路的输出端，其栅极连接所述第二十一MOS晶体管的栅极，流经所述第二十二MOS晶体管的电流为所述限流电流。

6.根据权利要求5所述的电源充电电路，其特征在于，所述第二电流镜还包括：

第二钳位二极管，其阴极连接所述限流输出电路的输入端，其阳极连接所述第二十二MOS晶体管的栅极。

7.根据权利要求2所述的电源充电电路，其特征在于，所述第一电流镜包括：

第五MOS晶体管，其源极接地，其漏极接收所述第一偏置电流，其栅极连接所述第五MOS晶体管的漏极；

第十九MOS晶体管，其源极接地，其漏极输出所述第二偏置电流，其栅极连接所述第五MOS晶体管的栅极。