[实用新型]一种用于微处理器的新型晶体振荡器

说明书

技术领域

本实用新型涉及晶体振荡器装置技术领域，具体的说是一种用于微处理器的新型晶体振荡器。

背景技术

晶体振荡器，多采用价格便宜且精准度高的石英晶体为时钟源。石英晶体薄片受到外加交变电场的作用时会产生机械振动，当交变电场的频率与石英晶体的固有频率相同时，振动便变得很强烈，这就是晶体谐振特性的反应。由于该晶体振荡器具有体积小、重量轻、可靠性高、频率稳定度高等优点，被应用于家用电器和通信设备中。但常规晶体振荡器存在很大的从电源到地的短路电流，因而，功耗比较大，此外，容易受到电源和地的噪声影响，直接影响振荡频率的稳定。

基于以上原因，需要一种用于微处理器的新型晶体振荡器，通过将加热器件和晶片封装在真空的壳体内，使得壳体内的温度稳定所需要的热量远远小于传统的对石英晶体壳体外壁加热所需要的热量，降低了晶体振荡器的功耗。

实用新型内容

为了解决上述现有技术存在的技术问题，本实用新型提供一种用于微处理器的新型晶体振荡器。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种用于微处理器的新型晶体振荡器：包括塑性橡胶外壳体、反相放大器、电流偏置器、运算放大器，所述塑性橡胶外壳体上方设置有真空保护层，振荡器内壳与所述反相放大器连接，幅度控制电路板与连接金属电线连接，电流反馈电阻与所述电流偏置器连接，所述电流偏置器上方设置有MOS晶体管组，内部加热器与振荡器电流镜连接，所述运算放大器与滤波电阻连接。

作为本实用新型的优选方案，所述塑性橡胶外壳体与所述真空保护层连接，所述振荡器内壳与所述反相放大器连接。

作为本实用新型的优选方案，所述幅度控制电路板与所述连接金属电线连接，所述电流反馈电阻与所述电流偏置器连接。

作为本实用新型的优选方案，所述MOS晶体管组与所述内部加热器连接，所述振荡器电流镜与所述运算放大器连接。

作为本实用新型的优选方案，所述滤波电阻与所述内部加热器连接，所述振荡器电流镜与所述反相放大器连接。

本实用新型的有益效果是：通过将加热器件和晶片封装在真空的壳体内，使得壳体内的温度稳定所需要的热量远远小于传统的对石英晶体壳体外壁加热所需要的热量，降低了晶体振荡器的功耗。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型的主视图；

图2是本实用新型的左视图。

1、塑性橡胶外壳体；2、真空保护层；3、振荡器内壳；4、反相放大器；5、幅度控制电路板；6、连接金属电线；7、电流反馈电阻；8、电流偏置器；9、MOS晶体管组；10、内部加热器；11、振荡器电流镜；12、运算放大器；13、滤波电阻。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图1-图2所示，本实用新型的一种用于微处理器的新型晶体振荡器：包括塑性橡胶外壳体1、反相放大器4、电流偏置器8、运算放大器12，所述塑性橡胶外壳体1上方设置有真空保护层2，振荡器内壳3与所述反相放大器4连接，幅度控制电路板5与连接金属电线6连接，电流反馈电阻7与所述电流偏置器8连接，所述电流偏置器8上方设置有MOS晶体管组9，内部加热器10与振荡器电流镜11连接，所述运算放大器12与滤波电阻13连接。

作为本实用新型一个较佳的实施例，如图1所示，塑性橡胶外壳体1上方设置有真空保护层2，用以对振荡器内部装置进行真空隔绝保护，振荡器内壳3与反相放大器4连接，用以对振荡器内部电流进行放大，幅度控制电路板5与连接金属电线6连接，用以传输振荡器内部电信号同时控制振荡器内部电流幅度，电流反馈电阻7与电流偏置器8连接，用以对振荡器内部电流状况进行反馈同时将信号传至幅度控制电路板，MOS晶体管组9与内部加热器10连接，用以对振荡器内部进行加热。

作为本实用新型另一个较佳的实施例，如图2所示，振荡器电流镜11用以扫描振荡器内部电流情况，运算放大器12用以对振荡器内部电流进行计算同时将电流放大，滤波电阻13用以振荡器内部杂波进行过滤防止杂波干扰振荡器工作。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。