[实用新型]一种钕铁硼永磁体存放箱有效

专利信息
申请号: 201520835516.8 申请日: 2015-10-27
公开(公告)号: CN205148281U 公开(公告)日: 2016-04-13
发明(设计)人: 林敬霞;陈西云;王学中;刘派;张作恒 申请(专利权)人: 北京祐林永磁材料有限公司
主分类号: B25H3/02 分类号: B25H3/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102200 北京市昌*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 钕铁硼 永磁体 存放
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种存放箱,尤其涉及一种钕铁硼永磁体存放箱。

背景技术

目前,钕铁硼是当代磁性最强的永磁体,它不仅具有高剩磁、高矫顽力、 高磁能积、高性价比等优点,而且容易加工成各种尺寸,特别适用于各种性能、 小型化、轻型化的电子产品。

但是,现有的存放箱由于密封不好,导致钕铁硼磁体腐蚀;另一方面,由 于温度过高而损坏钕铁硼磁体。

实用新型内容

本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种钕铁硼永磁体存放 箱。

本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的:

本实用新型包括箱体,所述箱体包括真空箱、水冷层、屏蔽壳,所述水冷 层设置于所述真空箱的外壁上,所述屏蔽壳设置于所述水冷层的外壁上,所述 箱体的一侧设置有箱盖。

进一步,所述箱体的上端面上设置有抽真空阀口。

进一步,所述箱体一侧下端设置有放水口,所述放水口穿过所述屏蔽壳与 所述水冷层连接。

进一步,所述箱体一侧下端设置有进水口,所述进水口穿过所述屏蔽壳与 所述水冷层连接。

进一步,所述箱盖上设置有单向出气阀和密封口,所述密封口环绕所述单 向出气阀设置。

进一步,所述箱盖的四周设置有密封圈。

本实用新型的有益效果在于:

本实用新型提供一种钕铁硼磁体的存放箱,其设置三层防护结构,保证了 钕铁硼磁体不被损坏;本实用新型具有结构简单、性能稳定和使用寿命较长的 优点。

附图说明

图1是本实用新型所述一种钕铁硼永磁体存放箱的结构示意图;

图2是本实用新型所述箱盖的结构示意图。

图中:1-箱体、2-屏蔽壳、3-水冷层、4-真空箱、5-箱盖、6-进水 口、7-密封圈、8-密封口、9-单向出气阀、10-抽真空阀口、11-放水口。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明:

如图1和图2所示:本实用新型包括箱体1,箱体1包括真空箱4、水冷层 3、屏蔽壳2,水冷层3设置于真空箱4的外壁上,屏蔽壳2设置于水冷层3的 外壁上,箱体1的一侧设置有箱盖5,箱体1的上端面上设置有抽真空阀口10, 箱体1一侧下端设置有放水口11,放水口11穿过屏蔽壳2与水冷层3连接,箱 体1一侧下端设置有进水口6,进水口6穿过屏蔽壳2与水冷层3连接,箱盖5 上设置有单向出气阀9和密封口8,密封口8环绕单向出气阀9设置,箱盖5的 四周设置有密封圈7。

本领域技术人员不脱离本实用新型的实质和精神,可以有多种变形方案实 现本实用新型,以上所述仅为本实用新型较佳可行的实施例而已,并非因此局 限本实用新型的权利范围,凡运用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结 构变化,均包含于本实用新型的权利范围之内。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京祐林永磁材料有限公司,未经北京祐林永磁材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520835516.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top