[实用新型]充电电路与移动终端

权利要求书

1.一种充电电路，其特征在于，包括：

用于向充电芯片充电的第一电路，包括第一充电接口、第一三极管、第一场效应晶体管、第一电阻、第一电容和第三电阻，所述第一充电接口分别连接第一三极管和第一场效应晶体管，所述第一电阻分别与所述第一三极管和所述第一场效应晶体管连接，所述第一电容与所述第一电阻并联，所述第一电阻和所述第一电容用于防止当所述第一充电接口没有上电且所述充电芯片上电时所述第一场效应晶体管导通，所述第三电阻的第一端连接在所述第一充电接口和第二三极管之间，所述第三电阻的第二端接地；

用于向所述充电芯片充电的第二电路，包括第二充电接口、所述第二三极管、第二场效应晶体管、第二电阻和第二电容，所述第二充电接口分别连接第二三极管和第二场效应晶体管，所述第二电阻分别与所述第二三极管和所述第二场效应晶体管连接，所述第二电容与所述第二电阻并联，所述第二电阻和所述第二电容用于防止当所述第二充电接口没有上电且所述充电芯片上电时所述第二场效应晶体管导通；

其中，所述第一充电接口和所述第二充电接口同时上电时，所述第二三极管和第二场效应晶体管均截止，所述第一充电接口向所述充电芯片充电。

2.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述第一充电接口连接所述第一三极管的第一基极，且连接所述第一场效应晶体管的第一漏极，所述第一三极管的第一发射极接地，所述第一三极管的第一集电极分别与所述第一电阻的第一端和所述第一电容的第一端连接，所述第一场效应晶体管的第一门极分别与所述第一电阻的第一端、所述第一电容的第一端和所述第一集电极连接，所述第一场效应晶体管的第一源极分别与所述第一电阻的第二端和所述第一电容的第二端连接且连接至所述充电芯片。

3.根据权利要求2所述的充电电路，其特征在于，所述第二充电接口连接所述第二三极管的第二基极，且连接所述第二场效应晶体管的第二漏极，所述第二三极管的第二集电极连接所述第一充电接口，所述第二三极管的第二发射极分别与所述第二电阻的第二端和所述第二电容的第二端连接，所述第二场效应晶体管的第二门极分别与所述第二电阻的第二端、所述第二电容的第二端和所述第二集电极连接，所述第二场效应晶体管的第二源极分别与所述第二电阻的第二端和所述第二电容的第二端连接且连接至所述充电芯片。

4.根据权利要求3所述的充电电路，其特征在于，还包括：

第四电阻，所述第四电阻的第一端连接在所述第二充电接口和所述第二基极之间，所述第四电阻的第二端接地。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的充电电路，其特征在于，所述第一三极管和第二三极管均为NPN型三极管，所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管均为P沟道增强型场效应晶体管。

6.根据权利要求5所述的充电电路，其特征在于，所述第二三极管的导通电压均大于或等于2V。

7.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，还包括：

所述充电芯片。

8.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述第一电阻和所述第二电阻的阻值为100000欧姆。

9.根据权利要求4所述的充电电路，其特征在于，所述第三电阻和所述第四电阻的阻值为10000欧姆。

10.一种移动终端，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的充电电路。