[实用新型]一种太阳能电池片及串联连接的太阳能电池组件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种太阳能电池技术领域，更具体地讲，涉及一种可串联连接的太阳能电池片及由其串联连接的太阳能电池组件。

背景技术

人类社会的发展与进步，与能源的获得与利用息息相关。其中，石化能源是人类赖以生存和发展的主要能量来源。由于石化能源作为非可再生资源，在地球上的储量是固定的，并且随着人类不断提高的能源需求，化石燃料正以不断增加的速率耗尽，人类对替代能源的需要变得越来越明显。风能、太阳能及水能作为新兴清洁能源，是石化能源(煤、油及天然气)的可再生的、环境友好的替代物，具有广泛的发展前景。

太阳能是一种取之不尽、用之不竭的能量来源。据估算，一年之中投射到地球的太阳能，其能量相当于137万亿吨标准煤所产生的热量，大约为目前全球一年内利用各种能源所产生能量的两万多倍。在我国，约有2/3的地区可以较好利用太阳能资源，并且太阳能发电不受地域的限制，可以实现光伏系统模块化，安装在靠近电力消耗的地方，并可在远离电网的地区，降低输电和配电成本，增加供电设施的可靠性。目前，薄膜太阳能电池由于光吸收层用料少，其内在材料特性只需几个微米就可以将太阳光能有效地转换成电能。

半导体异质结太阳能电池是由两种能带结构不相同的半导体材料构成，在接触面上能带发生弯曲或突变，从而形成内建电场，为光生伏特效应在半导体中产生的载流子的分离提供了条件。因半导体材料种类繁多，所以构成异质结太阳能电池的材料也有多种选择。目前，半导体异质结太阳能电池中主要包括非晶硅/单晶硅异质结电池，InGaP/GaAs异质结电池，CdS/CdTe异质结电池，有机体异质结，AlGaAs/GaAs异质结电池等。由于利用HF酸实现的外延层剥离技术(ELO)应用于GaAs外延层与基底的分离，而n型掺杂基极层与p+型掺杂发射极层的接触产生p-n层。当光在p-n层附近被吸收以产生电子空穴对时，在异质结内建电场可使空穴移动至p+型掺杂侧且使电子移动至n型掺杂侧。光生载流子的位移导致p+型掺杂侧与n型掺杂侧间形成电势差，形成光生伏特效应。砷化镓GaAs薄膜太阳能电池是目前的薄膜电池中光电转换效率最高的电池，且具有质量轻、可柔性化等特点，具有极其广泛的应用前景，因其具有效率高的特点，同比条件下可在较少受光面积下具有高的输出功率，可应用于消费类电池产品。

目前，主要采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的方法在GaAs基片上沉积电池层形成光伏器件，然后采用外延层剥离技术(ELO)将电池层剥离，并将数个光伏器件的n型电极触点进行互联及P+型电极触点进行互联，形成具有较高电流输出的光电转换模块，但对于一些消费类电子产品或较小受光面积太阳能电池应用领域，则需要具有较高电压输出的光电转换模块。CN102150284A公开了一种薄膜太阳能电池，以及使外部支撑基板上的两个或更多薄膜太阳能电池互连的方法。所述方法包括步骤：将一个薄膜太阳能电池的空气侧电极导线接合到相邻薄膜太阳能电池的基板侧电极，使得所述薄膜太阳能电池串联,本实用新型的互连线均在薄膜电池的非入射光面且为同侧，而对比文件中入射光面存在导电栅指，一定程度上影响了光的入射，且互联属于异侧互联，存在互联材料短路电池的风险。

实用新型内容

为此，本实用新型所要解决的技术问题在于现有薄膜太阳能电池串联连接时将互联线均设置于薄膜电池同侧，且在入射光面并设置导电栅指影响光的吸收面积进而影响电池的整体发电效率的问题，进而提供一种太阳能电池片及由这种太阳能电池片串联连接的太阳能电池组件，其通过改变太阳能电池片的触点阵列分布方式使其相互串联，具有结构简单且易实现的特点的效果。

所采用技术方案如下所述：

一种太阳能电池片，包括依次堆叠设置的窗口层、基极层、发射极层和钝化层，所述太阳能电池片上设有间隔设置的N型触点阵列和P型触点阵列，所述N型触点贯穿所述发射极层和钝化层，所述P型触点贯穿所述钝化层。

所述太阳能电池片还包括设置在所述发射极层和钝化层之间的界面层，所述N型触点贯穿所述发射极层、界面层和钝化层使所述基极层裸露，所述P型触点贯穿所述钝化层使所述界面层裸露。

所述N型触点的侧壁上设置有由所述钝化层延伸形成的侧壁钝化层。

相邻N型触点阵列和P型触点阵列构成触点阵列组，所述触点阵列组的数量为偶数，设置在所述太阳能电池片中心线一侧的触点阵列组的N型触点阵列和P型触点阵列分别与另一侧的触点阵列组的P型触点阵列和N型触点阵列呈镜像排布。