[实用新型]一种探测芯片分层的测试结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，特别是涉及一种探测芯片分层的测试结构。

背景技术

晶圆在做好之后，都要经过切割将晶圆切成一个个小的芯片，这是集成电路生产过程中至关重要的环节。但是，芯片在后期切割过程中极易出现分层和裂纹现象，切割引起的分层通常产生在芯片边缘处，然后向中间芯片延伸，严重威胁到芯片上功能器件的完整性和成品率。

半导体芯片的保护环，主要用来保护芯片切割时不受损坏。如图1所示为现有技术中具有保护环的半导体芯片结构示意图。在芯片1的外围具有划片槽2，在划片槽2和芯片1之间形成由环绕整个芯片1的保护环，所述保护环包括第一保护环3(Sealring)和第二保护环4(Crackstopstructure，CAS)，并且所述第二保护环4位于第一保护环3的外围。

尽管有两层保护环对芯片进行保护，但是在封装过程中还是会有裂纹穿过保护环进入芯片1，导致芯片1发生分层(Delamination)，一旦发生分层，最后的测试将失效。技术人员发现测试失效，需要通过各种失效分析手段来确认失效是否与分层有关，这将使得诊断周期延长，而且浪费人力物力。

因此，提供一种探测芯片分层的测试结构实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种探测芯片分层的测试结构，用于解决现有技术中无法确定芯片是否发生分层的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种探测芯片分层的测试结构，所述测试结构设置于第一保护环和第二保护环之间，所述测试结构包括多组堆叠的金属层，所述堆叠的金属层之间通过顶层金属层和底层金属层进行顺次连接形成环绕在芯片周围的链条结构。

作为本实用新型探测芯片分层的测试结构的一种优化的方案，所述链条结构呈三角波波形。

作为本实用新型探测芯片分层的测试结构的一种优化的方案，所述芯片发生分层，则所述链条结构开路。

作为本实用新型探测芯片分层的测试结构的一种优化的方案，所述第一保护环和第二保护环依次环绕在所述芯片周围。

作为本实用新型探测芯片分层的测试结构的一种优化的方案，所述第一保护环的底部形成有有源区，所述有源区至少包括P阱和形成于所述P阱两侧的N阱。

作为本实用新型探测芯片分层的测试结构的一种优化的方案，所述链条结构的两端通过接触孔分别与所述P阱两侧的N阱电连，再由所述N阱通过虚拟导电结构与外界相连。

作为本实用新型探测芯片分层的测试结构的一种优化的方案，每组堆叠的金属层中通过通孔连接每层金属层。

作为本实用新型探测芯片分层的测试结构的一种优化的方案，所述通孔中填充有导电金属。

如上所述，本实用新型的探测芯片分层的测试结构，设置于第一保护环和第二保护环之间，所述测试结构包括多组堆叠的金属层，所述堆叠的金属层之间通过顶层金属层和底层金属层进行顺次连接形成环绕在芯片周围的链条结构。本实用新型的测试结构具有以下有益效果：如果芯片发生分层，并且分层是穿过保护环进入芯片的，则会引起测试结构开路，通过开路短路测试，可以在第一时间探测到芯片分层的发生。

附图说明

图1显示为现有技术中具有保护环的半导体芯片结构示意图。

图2显示为本实用新型具测试结构的半导体芯片结构示意图。

图3显示为本实用新型的探测芯片封层的测试结构的剖视图。

图4显示为本实用新型的测试结构与外界电连的示意图。

元件标号说明

1芯片

2切割道

3第一环保护

31P阱

32N阱

33虚拟导电结构

4第二保护环

5测试结构

51堆叠的金属层

511顶层金属层

512底层金属层

52通孔

6接触孔

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。