[实用新型]一种设有Ag透明薄膜的太阳能电池有效
申请号: | 201520794246.0 | 申请日: | 2015-10-14 |
公开(公告)号: | CN205122596U | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) 44283 | 代理人: | 张伶俐 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 设有 ag 透明 薄膜 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种设有Ag透明薄膜的太阳能电池。
背景技术
太阳能电池是一种利用太阳光直接发电的光电子器件,当有太阳光照射时,太阳能电池瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。太阳能电池的电流通过金属电极进行收集。金属电极可分为背面电极和正面电极,正面电极由主栅线和副栅线组成。副栅线宽度一般在40-70微米,根数在80-120根,且副栅线在太阳能电池正面平行均匀分布;主栅线和副栅线垂直,一般为3-5根且平行均匀分布,宽度0.9-1.5mm;副栅线将太阳能电池的电流收集后汇入主栅线。目前产业化的太阳能电池电极制备就是借助丝网印刷技术,将金属导电浆料透过丝网网孔在硅片上形成电极图案,然后通过高温烧结形成紧密欧姆接触的电极。
由于遮光作用,要求正面电极的面积越小越好;减少副栅线根数和宽度可以降低正面电极的面积,但横向电阻增加,导致太阳能电池的串联电阻增加,同时电流的收集能力下降,会大大降低电池的转换效率。因此,如何开发一种遮光面积小、横向电阻低和电流收集能力强的太阳能电池的正面电极成为研究者关注的焦点。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于,提供一种设有Ag透明薄膜的太阳能电池,能降低太阳能电池正面的遮光面积,减低横向电阻,提升太阳能电池的转换效率。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种设有Ag透明薄膜的太阳能电池,包括从下至上依次为Ag背电极、Al背场、P型硅、N+层、减反膜和Ag主栅线,Al背场、P型硅、N+层和减反膜为层叠式设置,Ag主栅线穿透减反膜与N+层欧姆接触,所述太阳能电池正面沉积有一层Ag透明薄膜,Ag透明薄膜覆盖减反膜和Ag主栅线四周边缘,所述减反膜上分布有若干个小孔,Ag透明薄膜沉积进入减反膜的小孔内与N+层欧姆。
作为上述方案的改进,所述若干个小孔均匀分布在减反膜上。
作为上述方案的改进,所述Ag主栅线的中部区域裸露。
作为上述方案的改进,所述Ag主栅线的根数为4根,栅线宽度为0.9-1.2mm。
作为上述方案的改进,所述Ag主栅线的根数为5根,栅线宽度为0.8-1.1mm。
作为上述方案的改进,所述Ag透明薄膜的厚度为5-15nm,电阻率为0.7-1.5×10-6Ω.cm,透光率91-98%。
作为上述方案的改进,所述Ag主栅线四周边缘0.2-0.3mm宽的区域被Ag透明薄膜覆盖。
作为上述方案的改进,所述小孔的直径1-10μm,小孔的面积占硅片正面面积的4-8%。
与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:Ag透明薄膜取代传统的副栅线,在太阳能电池表面大面积的沉积Ag透明薄膜大大降低了横向电阻,提高电流的收集能力,且遮光面积没有明显提高,可以大大提升电池的转换效率。
附图说明
图1是现有技术的太阳能电池正面电极结构示意图;
图2是本实用新型的一种Ag透明薄膜电极太阳能电池的结构示意图;
图3是图2的正视图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。
图1为现有技术的太阳能电池正面电极结构示意图,太阳能电池的正面电极由主栅线1′和副栅线2′组成,主栅线1′和副栅线2′垂直,主栅线1′相互平行且均匀分布,副栅线2′相互平行且均匀分布,主栅线1′和副栅线2′是通过丝网印刷技术,将金属导电浆料透过丝网网孔在硅片上形成电极图案,然后通过高温烧结形成紧密欧姆接触的电极。由于遮光作用,要求正面电极的面积越小越好;减少副栅线根数和宽度可以降低正面电极的面积,但横向电阻增加,导致太阳能电池的串联电阻增加,同时电流的收集能力下降,会大大降低电池的转换效率。
为了解决现有技术的问题,结合图2、图3所示,本实用新型的一种设有Ag透明薄膜的太阳能电池,包括从下至上依次为Ag背电极1、Al背场2、P型硅3、N+层4、减反膜5和Ag主栅线6,Al背场2、P型硅3、N+层4和减反膜5为层叠式设置,Ag主栅线6穿透减反膜5与N+层4欧姆接触,太阳能电池正面沉积有一层Ag透明薄膜7,Ag透明薄膜7覆盖减反膜5和Ag主栅线6四周边缘,减反膜5上均匀分布有多个小孔51,Ag透明薄膜7沉积进入减反膜5的小孔51内与N+层欧姆;Ag主栅线6的中部区域没有被Ag透明薄膜7覆盖而裸露。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的