[实用新型]非接触式晶圆连续处理装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种晶圆处理装置，特别是一种非接触式晶圆连续处理装置。

背景技术

晶圆(Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，晶圆是生产集成电路所用的载体，集成电路的制作过程多达数十至数百个步骤，如氧化层成长、微影技术、蚀刻、清洗、杂质扩散、离子植入及薄膜沉积等技术，而随着半导体工艺的精密度越来越高，在进行不同的工艺时，皆为利用机械手臂来搬移晶圆至下一个工艺区域，以进行工艺。

而搬运晶圆的机械手臂如中国台湾专利公告第M264083号的“输送晶圆的机械手臂”，其包含有一本体部以及一吸附槽，该本体部具有一半圆形开口的承载端，该承载端是将一晶圆承载于其上，且该晶圆的重心是重合于该承载端的半圆形开口的圆心，该吸附槽形成于该承载端的表面并利用真空吸附力将该晶圆吸附住。

然而，长期使用后，该承载端可能会因取放该晶圆的位置偏移，而刮伤该晶圆，导致工艺合格率下降，因此，如何减少机械手臂偏移而刮伤该晶圆的问题，实为一大课题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种非接触式晶圆连续处理装置，以解决因机械手臂长期使用后而偏移，进而刮伤晶圆的问题。

为了实现上述目的，本实用新型提供了一种非接触式晶圆连续处理装置，用以搬运一进行连续工艺处理的待处理晶圆，其中，该非接触式晶圆连续处理装置包含有：

一工作平台，包含有一进料端、一远离该进料端的出料端、多个设置于该进料端与该出料端之间且提供一上浮气体的第一气孔、多个设置于该进料端与该出料端之间且提供一侧浮气体的第二气孔以及多个自该进料端排列至该出料端的工艺处理区域，该上浮气体沿一纵方向喷出，该侧浮气体沿一推动方向喷出，该纵方向与该推动方向相交一夹角；

一与该多个第一气孔连接的第一气体供应单元；

一与该多个第二气孔连接的第二气体供应单元；以及

多个对应设置于该多个工艺处理区域上方以对该待处理晶圆进行处理的处理单元。

上述的非接触式晶圆连续处理装置，其中，该工作平台还包含有一设置于该出料端以抵挡该待处理晶圆的挡止件。

上述的非接触式晶圆连续处理装置，其中，该工作平台还包含有一设置于该挡止件且朝该进料端提供一侧向气体的第三气孔，该侧向气体沿一横方向喷出。

上述的非接触式晶圆连续处理装置，其中，还包含有一与该第三气孔连接的第三气体供应单元。

上述的非接触式晶圆连续处理装置，其中，还包含有一电性连接于该第一气体供应单元、该第二气体供应单元以及该第三气体供应单元的控制单元。

上述的非接触式晶圆连续处理装置，其中，还包含有一设置于该工作平台相邻于该出料端的感测元件。

本实用新型的有益功效在于：

本实用新型通过该第一气孔提供该上浮气体以及该第二气孔提供该侧浮气体，可以非接触的搬运方式使该晶圆通过该些工艺处理区域而进行工艺，因此可以降低因接触碰撞而造成该晶圆损坏的情形。

以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述，但不作为对本实用新型的限定。

附图说明

图1为本实用新型第一实施例的局部剖面结构示意图；

图2A-2C为本实用新型第一实施例的局部连续运作示意图；

图3为本实用新型第二实施例的局部剖面结构示意图；

图4为本实用新型第三实施例的局部剖面结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：