[实用新型]垂直紫外线发光器件有效
| 申请号： | 201520770680.5 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN205376556U | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 朴起延;韩釉大 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 紫外线 发光 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种垂直紫外线发光器件，其特征在于，所述垂直紫外线发光器件包括：
衬底；
n型半导体层，设置在所述衬底上；
活性层，设置在所述n型半导体层上；
空穴注入层，设置在所述活性层上；
Al-δ层，设置在所述空穴注入层上；以及
第一p型接触层，设置在所述Al-δ层上，
其中，所述Al-δ层使空穴通过遂穿所述Al-δ层进入所述活性层。
2.根据权利要求1所述的垂直紫外线发光器件，其特征在于，所述Al-δ层具有2nm至20nm的厚度。
3.根据权利要求1所述的垂直紫外线发光器件，其特征在于，所述垂直紫外线发光器件还包括：设置在所述Al-δ层与所述第一p型接触层之间的第二p型接触层。
4.根据权利要求1所述的垂直紫外线发光器件，其特征在于，所述第一p型接触层的带隙低于或等于从所述活性层发射的光的能量。
5.根据权利要求3所述的垂直紫外线发光器件，其特征在于，所述第二p型接触层具有低于或等于从所述活性层发射的光的能量的带隙。
6.根据权利要求1所述的垂直紫外线发光器件，其特征在于，所述空穴注入层具有低于或等于从所述活性层发射的光的能量的带隙。
7.根据权利要求1所述的垂直紫外线发光器件，其特征在于，所述Al-δ层具有2nm至20nm的厚度。
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