[实用新型]饱和受控回路电流调节器

权利要求书

1.一种过程变送器，其特征在于包括：

设备电路，生成要在电流回路上传送的值；

在所述电流回路和所述设备电路之间串联的串联控制晶体管；以及

饱和防止电路，防止所述串联控制晶体管进入饱和。

2.根据权利要求1所述的过程变送器，其中所述饱和防止电路通过防止所述串联控制晶体管两端的电压降至饱和电压以下来防止所述串联控制晶体管进入饱和。

3.根据权利要求1所述的过程变送器，其中所述饱和防止电路保持所述串联控制晶体管两端的电压，使得所述电压与所述饱和防止电路中二极管两端的前向偏置电压基本上相等。

4.根据权利要求3所述的过程变送器，其中所述饱和防止电路包括分流晶体管，所述分流晶体管具有与所述串联控制晶体管的集电极耦合的发射极和通过包括所述二极管的传导路径与所述串联控制晶体管的基极耦合的基极。

5.根据权利要求4所述的过程变送器，其中所述分流晶体管的发射极与所述串联控制晶体管的集电极直接连接。

6.根据权利要求5所述的过程变送器，其中所述分流晶体管的基极和所述串联控制晶体管的基极之间的传导路径包括三个二极管。

7.根据权利要求6所述的过程变送器，其中所述二极管中的至少两个相匹配。

8.根据权利要求4所述的过程变送器，其中所述串联控制晶体管与所述分流晶体管相匹配，以提供基本上相似的基极-发射极压降。

9.一种过程现场设备，其特征在于包括：

控制回路连接器，用于与过程控制回路连接；

设备电路；以及

在控制回路连接器和设备电路之间串联的电流调节器，其中所述电流调节器控制所述控制回路上的电流电平，并提供具有最大功率的功率输出，所述最大功率与在过程控制回路上提供的电压成比例。

10.根据权利要求9所述的过程现场设备，其中所述电流调节器包括串联晶体管和偏置电路，所述串联晶体管的偏置电路防止所述串联晶体管饱和。

11.根据权利要求10所述的过程现场设备，其中所述偏置电路通过限制所述串联晶体管两端的集电极-发射极电压降至二极管两端的前向偏置压降以下，来防止所述串联晶体管饱和。

12.根据权利要求11所述的过程现场设备，其中所述偏置电路包括二极管和分流晶体管，所述分流晶体管从所述设备电路分走电流。

13.根据权利要求12所述的过程现场设备，其中所述偏置电路还包括用于防止所述分流晶体管的反向击穿的电路元件。

14.根据权利要求13所述的现场设备，其中用于防止所述分流晶体管的反向击穿的所述电路元件包括第二二极管。

15.根据权利要求13所述的过程现场设备，其中所述二极管的阳极与所述串联晶体管的基极连接，所述二极管的阴极与第三二极管的阳极连接，所述第三二极管的阴极与第二二极管的阴极连接，并且第二二极管的阳极与所述分流晶体管的基极连接。

16.根据权利要求9所述的过程现场设备，还包括在电流调节器和设备电路之间串联的开关调节器。

17.一种过程现场设备，其特征在于包括：

两个回路连接器，用于与电流回路连接；

设备电路；以及

在两个回路连接器之一和设备电路之间串联的电流控制器，其中所述电流控制器能够控制所述电流回路中的电流电平，同时针对所述电流回路中的多个电流电平在所述电流回路和所述设备电路之间提供固定的压降。

18.根据权利要求17所述的过程现场设备，其中所述电流控制器被固有地防止沿所述电流回路的电流方向提供比固定压降小的压降。

19.根据权利要求17所述的过程现场设备，其中所述电流控制器包括串联晶体管、分流晶体管和至少一个二极管，使得电流回路和处理电路之间的压降在串联晶体管两端，并且所述至少一个二极管和所述分流晶体管固有地防止所述串联晶体管两端的压降小于所述至少一个二极管两端的前向偏置电压。