[实用新型]一种快速恢复二极管有效
| 申请号： | 201520769928.6 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN204991719U | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | 吴迪;刘钺杨;何延强;董少华;曹功勋;刘江;金锐;温家良 | 申请（专利权）人： | 国网智能电网研究院;国网上海市电力公司;国家电网公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/66;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 快速 恢复 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种快速恢复二极管，所述二极管包括：具有三个具有间隔的P型硅区(3)的且表面有氧化层(2)的N型硅衬底(1)，所述氧化层(2)上的多晶层(5)，所述多晶层(5)上的阳极金属层和所述N型硅衬底(1)上与其相对的阴极金属层，其特征在于，所述P型硅区(3)具有深能级掺杂区(4)。
2.根据权利要求1所述的快速恢复二极管，其特征在于，居中的所述P型硅区(3)为有源区，两边的为终端保护区。
3.根据权利要求1所述的快速恢复二极管，其特征在于，所述P型硅区(3)的深度为5-25μm。
4.根据权利要求1所述的快速恢复二极管，其特征在于，所述氧化层(2)的厚度为
5.根据权利要求1所述的快速恢复二极管，其特征在于，所述多晶层(5)的材料为硅，厚度为
6.根据权利要求1所述的快速恢复二极管，其特征在于，所述深能级掺杂区(4)的掺杂杂质为金、铂或钯。
7.根据权利要求1所述的快速恢复二极管，其特征在于，所述深能级掺杂区(4)的深度小于所述P型硅区(3)。
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