[实用新型]一种抗干扰低电压检测芯片

权利要求书

1.一种抗干扰低电压检测芯片，其特征在于：它包括：

用于通过电容的充放电实现电压输出的电容充放电电路，所述电容充放电电路上设置有电源输入端；

用于控制电容充放电电路启闭的逻辑组合电路，所述逻辑组合电路的输出端连接于电容充放电电路的输入端；

用于向逻辑组合电路提供基准电压的基准电压产生电路，所述基准电压产生电路的输出端连接于逻辑组合电路的输入端；

用于设定输入至逻辑组合电路中的电压值的电阻分压电路，所述电阻分压电路连接于逻辑组合电路的输入端，所述电阻分压电路上设置有电压设定端；

用于对电容充放电电路输出的电压进行整形处理后实现检测信号输出的施密特整形电路，所述施密特整形电路连接于电容充放电电路的输出端，所述施密特整形电路上设置有检测信号输出端；

和

用于根据施密特整形电路输出的电压值来设定电阻分压电路的比值的恢复电压设定电路，所述恢复电压设定电路连接于施密特整形电路的输出端与电阻分压电路之间。

2.如权利要求1所述的一种抗干扰低电压检测芯片，其特征在于：所述电容充放电电路包括第三MOS管、第四MOS管、充放电电容和第五电阻，所述第三MOS管的栅极和第四MOS管的栅极同时连接逻辑组合电路的输出端，所述第三MOS管的漏极和第四MOS管的漏极分别连接于第五电阻的两端，所述第三MOS管的源极和衬底同时连接电源输入端，所述第四MOS管的源极和衬底同时接地，所述充放电电容的一端接地、另一端连接于施密特整形电路的输入端。

3.如权利要求1或2所述的一种抗干扰低电压检测芯片，其特征在于：所述恢复电压设定电路包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极同时连接施密特整形电路的输出端，所述第一MOS管的源极和衬底同时连接电压设定端，所述第二MOS管的源极和衬底同时接地，所述第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极分别连接电阻分压电路。

4.如权利要求3所述的一种抗干扰低电压检测芯片，其特征在于：所述施密特整形电路包括顺序连接的施密特整形单元和第二反相器，所述施密特整形单元的输入端连接于电容充放电电路的输出端，所述第二反相器的输出端作为检测信号输出端，所述第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极同时连接于第二反相器的输入端与施密特整形单元的输出端之间。

5.如权利要求3所述的一种抗干扰低电压检测芯片，其特征在于：所述电阻分压电路包括顺序串联于电压设定端与接地端之间的第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；

所述逻辑组合电路的输入端连接于第二电阻和第三电阻之间，所述第一MOS管的漏极连接于第一电阻和第二电阻之间，所述第二MOS管的漏极连接于第三电阻和第四电阻之间。

6.如权利要求5所述的一种抗干扰低电压检测芯片，其特征在于：所述第一电阻的阻值等于第四电阻的阻值。

7.如权利要求5所述的一种抗干扰低电压检测芯片，其特征在于：所述逻辑组合电路包括比较器和第一反相器，所述比较器的正极连接于第一电阻和第二电阻之间、负极连接基准电压产生电路的输出端、输出端连接第一反相器的输入端，所述第一反相器的输出端连接电容充放电电路的输入端。