[实用新型]超材料吸波结构、防护罩及电子系统

权利要求书

1.一种超材料吸波结构，其特征在于，包括：

基板(10)；

至少一层导电几何结构层，所述导电几何结构层设置在所述基板(10)上，每层所述导电几何结构层包括间隔设置的多条导电线(20)；其中，

每条所述导电线(20)包括：

多个连接导线段(21)，多个所述连接导线段(21)沿直线方向间隔排布；

多个开口围绕部(22)，所述多个开口围绕部(22)排列成行并位于所述多个连接导线段(21)所在的直线的同一侧，每个所述连接导线段(21)位于相邻的两个所述开口围绕部(22)之间且该连接导线段(21)的两端分别与该相邻的两个开口围绕部(22)的一个开口端部连接，相邻两条所述导电线(20)之间相对于预定轴线对称设置。

2.根据权利要求1所述的超材料吸波结构，其特征在于，每个所述开口围绕部(22)由部分所述导电线(20)围成的T字形开口区域而形成。

3.根据权利要求1所述的超材料吸波结构，其特征在于，每个所述开口围绕部(22)由部分所述导电线(20)围成的干字形开口区域而形成。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的超材料吸波结构，其特征在于，所述至少一层导电几何结构层包括结构相同的两层，该两层导电几何结构层沿叠置方向间隔设置，在所述叠置方向上，其中一层所述导电几何结构层的各所述开口围绕部(22)所围绕的区域的投影与另一层所述导电几何结构层的对应的所述开口围绕部(22)所围绕的区域的投影至少部分重合。

5.根据权利要求4所述的超材料吸波结构，其特征在于，其中一层所述导电几何结构层的各所述开口围绕部(22)所围绕的区域的投影与另一层所述导电几何结构层的对应的所述开口围绕部(22)所围绕的区域的投影相重合。

6.根据权利要求3所述的超材料吸波结构，其特征在于，同一个所述开口围绕部(22)中的围成所述干字形开口区域的两个横向区域的相邻横向导电线段(211)之间的距离为L1，0.4mm＜L1＜1.0mm。

7.根据权利要求6所述的超材料吸波结构，其特征在于，各段所述横向导电线段(211)的长度相等。

8.根据权利要求3所述的超材料吸波结构，其特征在于，围成所述干字形开口区域的竖向区域的相邻的纵向导电线段(212)之间的距离为L2，0.5mm＜L2＜1.5mm。

9.根据权利要求3所述的超材料吸波结构，其特征在于，同一条所述导电线(20)形成的相邻两个所述开口围绕部(22)之间的相邻干字形横向端部之间的距离为L3，0.5mm＜L3＜1.5mm。

10.根据权利要求1所述的超材料吸波结构，其特征在于，相邻两条所述导电线(20)的相对的两段所述连接导线段(21)之间的距离为0.4mm＜L4＜1.0mm。

11.根据权利要求1所述的超材料吸波结构，其特征在于，相邻且所述开口围绕部(22)的开口相对的两条所述导电线(20)为一组，在相邻两组的所述开口围绕部(22)的开口相背的两条所述导电线(20)之间，相邻的所述开口围绕部(22)的干字形顶部之间的距离为2.0mm＜L5＜3.0mm。

12.根据权利要求4所述的超材料吸波结构，其特征在于，所述基板(10)包括第一基板(11)、第二基板(12)和第三基板(13)，其中一层所述导电几何结构层设置在所述第一基板(11)与所述第二基板(12)之间，另一层所述导电几何结构层设置在所述第二基板(12)与所述第三基板(13)之间。

13.根据权利要求12所述的超材料吸波结构，其特征在于，所述第一基板(11)的厚度为h1，所述第二基板(12)的厚度为h2，所述第三基板(13)的厚度为h3，h1＜h2＝h3。

14.根据权利要求12所述的超材料吸波结构，其特征在于，所述第一基板(11)与其中一层所述导电几何结构层之间相粘接，以及其中一层所述导电几何结构层与所述第二基板(12)之间相粘接，和/或所述第二基板(12)与另一层所述导电几何结构层之间相粘接，以及另一层所述导电几何结构层与所述第三基板(13)之间相粘接。

15.一种防护罩，包括吸波结构，其特征在于，所述吸波结构为权利要求1至14中任一项所述的超材料吸波结构。

16.一种电子系统，包括防护罩，其特征在于，所述防护罩为权利要求15所述的防护罩。