[实用新型]半导体芯片的表面处理系统

权利要求书

1.一种半导体芯片的表面处理系统，其特征在于：包括相联通的真空工艺腔室和缓冲腔室，从缓冲腔室至真空工艺腔室的传送通道用于传送装载待处理芯片的样品架，所述样品架的装载部位为贯通结构，使得待处理芯片的上、下表面能够因样品架装载部位的翻转而依次得到处理；所述传送通道上设置有隔离密封阀以实现工作时的真空隔离；

所述真空工艺腔室具有真空泵连接口、进出样品连接口、气源连接口和作业线路接口，其中作业线路接口位于真空工艺腔室的顶部；

所述真空工艺腔室中设置有作业台、样品架支撑装置和多个工艺处理单元，所述作业台与真空工艺腔室的顶部连接固定，作业台在竖直方向上具有与所述作业线路接口位置对应的贯通孔道；所述多个工艺处理单元均固定安装于作业台，相应的控制信号线路经所述作业线路接口引出真空工艺腔室；所述样品架支撑装置自作业台下方穿过贯通孔道伸出，并连接水平旋转机构和升降机构以实现样品架支撑装置的水平旋转和垂直升降；

所述样品架支撑装置在作业台下方具有自动锁定机构，样品架上具有相应的配合部件，使得样品架在传送至真空工艺腔室到位时即被样品架支撑装置锁紧固定，并处于所述多个工艺处理单元的作业区域内；

在样品架传送到位处还配置有样品架翻转机构，样品架上具有相应的配合部件，样品架翻转机构从外部伸入真空工艺腔室内，在需要样品架翻转时，样品架与样品架翻转机构配合连接实现驱动样品架翻转；

所述真空工艺腔室内的底部设置有靶材底座旋转台，靶材底座旋转台上环形分布有多个靶材放置区，靶材上方设置有靶材遮盖装置，需要镀制的靶材能够旋转至位于作业台的正下方的靶材工作区，在靶材工作区的下方设置有射频(RF)电源单元；

所述真空工艺腔室内设有两个气路，一个气路位于样品架的上方，用于通入工艺气体，另一个气路位于靶材工作区的外围，用于通入辅助气体。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片的表面处理系统，其特征在于：所述作业台是通过作业台支撑装置与真空工艺腔室的顶部安装固定，作业台支撑装置对应于所述贯通孔道提供有用于容置样品架支撑装置的空间，多个工艺处理单元相应的控制信号线路亦在该空间内走线，再经所述作业线路接口引出真空工艺腔室。

3.根据权利要求2所述的半导体芯片的表面处理系统，其特征在于：所述作业台支撑装置和样品架支撑装置整体上构成套管形态，作业台支撑装置作为外管插接固定于真空工艺腔室顶部，样品架支撑装置作为内管穿过作业台支撑装置；所述多个工艺处理单元相应的线路在套管所形成的环形空间内走线。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片的表面处理系统，其特征在于：所述样品架翻转机构沿水平方向伸入真空工艺腔室内，其驱动端与样品架的翻转轴同轴连接或平行相对固定；或者，样品架翻转机构经所述作业线路接口沿竖直方向伸入真空工艺腔室内，通过传动组件与样品架的翻转轴连接。

5.根据权利要求4所述的半导体芯片的表面处理系统，其特征在于：所述样品架包括水平的固定框和位于固定框内的转动件，待处理芯片装载于所述转动件上的贯通安装孔内，转动件通过翻转轴与固定框安装连接；样品架在传送到位时，所述固定框与样品架支撑装置配合连接；需要翻转时，固定框与样品架支撑装置脱开，所述样品架翻转机构与样品架的翻转轴连接，带动转动件及其装载的待处理芯片能够相对于固定框翻转运动。

6.根据权利要求5所述的半导体芯片的表面处理系统，其特征在于：所述固定框内设置有平行的至少两个所述转动件。

7.根据权利要求5或6所述的半导体芯片的表面处理系统，其特征在于：需要翻转时，样品架由样品架支撑装置的升降机构拖动下移，样品架翻转机构水平方向伸长与样品架的翻转轴配合连接，然后样品架支撑装置的升降机构与样品架脱开并回升，待样品架翻转机构将样品架的转动件翻转后，样品架支撑装置的升降机构再次下移与样品架的固定框配合连接，翻转驱动机构与样品架脱开后缩回，样品架由样品架支撑装置的升降机构拖动上升至所要求的位置。

8.根据权利要求4所述的半导体芯片的表面处理系统，其特征在于：所述样品架为一体件形式的转动件；需要翻转时，样品架翻转机构水平方向伸长与样品架配合连接，样品架支撑装置与样品架脱开，样品架翻转机构沿水平方向继续伸长或回缩使样品架远离作业台，待样品架翻转机构将样品架翻转后，再使样品架回归原位与样品架支撑装置连接。