[实用新型]晶圆电镀夹具

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体生产制造技术领域，具体涉及晶圆电镀夹具。

背景技术

铜电镀工艺是利用电子和离子传输，将阳极的铜靶材通过电镀基础液转移到阴极的镀件上。镀件(晶圆)上的镀膜厚度跟电流密度正相关，如何控制镀件(晶圆)表面不同区域的镀膜厚度，保持良好的均匀性，需要特别改善不同区域的电流密度。传统的工艺通常做法是：1，将圆片放置在预先的夹具凹槽中，直接通过数个(3个及3个以上)触点按压接触，之后晶圆浸没在电镀液中，并将晶圆正面朝向靶材位置；2，将晶圆放置在夹具凹槽中，晶圆正面边缘正对数十个触点(排布位置跟晶圆边缘完全对应)，并通过放置在晶圆背面的盖板旋紧实现接触之后将晶圆浸没在电镀液中，并将晶圆正面朝向靶材位置。以上两种方式只解决了电镀过程中晶圆的固定问题和导电接触问题，并没有解决晶圆中心区域和边缘区域在工艺过程中的电流密度不均问题，最终导致电镀后晶圆边缘区域镀膜厚度明显高于中心区域。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供晶圆电镀夹具，克服上述缺陷，通过对晶圆电镀夹具改进，来解决晶圆中心区域和边缘区域在工艺过程中的电流密度不均、电镀后晶圆边缘区域镀膜厚度明显高于中心区域的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供晶圆电镀夹具，包括凹槽结构、挡板结构和盖板结构，所述凹槽结构具有第一表面和与所述第一表面相对应的第二表面，所述第一表面上设有第一晶圆孔，所述第二表面上设有第二晶圆孔，所述第一晶圆孔和第二晶圆孔贯通，所述第一晶圆孔和第二晶圆孔之间设有密封圈，所述密封圈中心设有贯通所述密封圈的第三晶圆孔，所述第三晶圆孔的周围设有若干个触点，所述挡板结构的中心设有贯通所述挡板结构的第四晶圆孔，所述盖板结构具有第三表面和与所述第三表面相对应的第四表面，所述凹槽结构的第一表面通过固定螺丝与挡板结构固定连接，所述凹槽结构的第二表面通过拧紧螺丝与所述盖板结构的第三表面固定连接。

作为本实用新型所述晶圆电镀夹具的一种优选方案，所述第一晶圆孔的尺寸和形状、所述第二晶圆孔的尺寸和形状均与晶圆的尺寸和形状相同。

作为本实用新型所述晶圆电镀夹具的一种优选方案，所述第三晶圆孔的形状与晶圆的形状相同，所述第三晶圆孔的尺寸小于晶圆的尺寸。

作为本实用新型所述晶圆电镀夹具的一种优选方案，所述第四晶圆孔的形状与晶圆的形状相同，所述第四晶圆孔的尺寸小于晶圆的尺寸。

作为本实用新型所述晶圆电镀夹具的一种优选方案，所述凹槽结构还包括第一提手，所述第一提手设置在所述凹槽结构的顶端。

作为本实用新型所述晶圆电镀夹具的一种优选方案，所述凹槽结构还包括接头，所述接头设置在所述凹槽结构的顶端。

作为本实用新型所述晶圆电镀夹具的一种优选方案，所述盖板结构还包括第二提手，所述第二提手设置在所述盖板结构的第四表面。

作为本实用新型所述晶圆电镀夹具的一种优选方案，所述触点的个数大于或等于10个。

作为本实用新型所述晶圆电镀夹具的一种优选方案，所述挡板结构与所述凹槽结构之间的距离为5mm～15mm。

作为本实用新型所述晶圆电镀夹具的一种优选方案，所述挡板结构的材质为四氟乙烯。

与现有技术相比，本实用新型提出的晶圆电镀夹具通过在特定位置增加特殊形状的挡板，改善了晶圆边缘和中心区域电流密度不均的问题，最终实现电镀后晶圆边缘区域的镀膜厚度与中心区域的镀膜厚度有很好的一致性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中，

图1为本实用新型的晶圆电镀夹具的结构示意图；

图2为本实用新型的晶圆电镀夹具的凹槽结构的结构示意图；

图3为本实用新型的晶圆电镀夹具的挡板结构的结构示意图；和

图4为本实用新型的晶圆电镀夹具的盖板结构的结构示意图。

其中：1为凹槽结构、11为第一表面、111为第一晶圆孔、12为第二表面、13为密封圈、131为触点、14为第一提手、15为接头、2为挡板结构、21为第四晶圆孔、3为盖板结构、31为第三表面、32为第四表面、33为第二提手。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。