[实用新型]一种堆叠型芯片封装结构有效
| 申请号： | 201520749446.4 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN205039151U | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 仇月东;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 堆叠 芯片 封装 结构 | ||
1.一种堆叠型芯片封装结构，其特征在于，包括：
第一塑封层；
嵌于所述第一塑封层中的第一半导体芯片及至少一个互连结构；所述互连结构包括支撑体及上下贯穿所述支撑体的若干导电柱；
位于所述第一半导体芯片背面一侧并与所述互连结构电连接的第一再分布引线层；
位于所述第一半导体芯片背面一侧并与所述第一塑封层连接的第二塑封层；
嵌于所述第二塑封层中并与所述第一再分布引线层电连接的第二半导体芯片；
位于所述第一半导体芯片正面一侧并与所述第一半导体芯片及所述互连结构电连接的第二再分布引线层。
2.根据权利要求1所述的堆叠型芯片封装结构，其特征在于：所述第二半导体芯片正面制作有若干凸块结构；所述第二半导体芯片通过所述凸块结构与所述第一再分布引线层连接。
3.根据权利要求1所述的堆叠型芯片封装结构，其特征在于：所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间形成有第一介质层组，所述第一再分布引线层嵌于所述第一介质层组中。
4.根据权利要求1所述的堆叠型芯片封装结构，其特征在于：所述第二再分布引线层表面连接有凸点下金属层，所述凸点下金属层表面连接有焊球凸点。
5.根据权利要求4所述的堆叠型芯片封装结构，其特征在于：所述第一半导体芯片正面一侧形成有第二介质层组，所述第二再分布引线层及所述凸点下金属层嵌于所述第二介质层组中。
6.根据权利要求1所述的堆叠型芯片封装结构，其特征在于：所述导电柱的横截面包括多边形、圆形及椭圆形中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的堆叠型芯片封装结构，其特征在于：所述支撑体的横截面包括多边形、圆形及椭圆形中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的堆叠型芯片封装结构，其特征在于：所述互连结构中，各导电柱呈点阵排列。
9.根据权利要求1所述的堆叠型芯片封装结构，其特征在于：所述支撑体的介电常数小于或等于3.9。
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