[实用新型]一种芯片级LED光源模组

说明书

技术领域

本实用新型属于LED技术领域，具体涉及一种芯片级LED光源模组。

背景技术

白光LED芯片是采用ChipScalePackage(以下简称为“CSP”)技术实现的可以直接发白光的LED芯片，该类芯片具有体积小、发光角度大、可耐大电流驱动、制造成本低、方便下游客户灯具设计等优点。

当前LED白光芯片的普遍结构特征包括：倒装芯片结构，电极设置在底部，正上表面和4个侧面均包覆荧光粉。正上表面和四个侧面的荧光粉层普遍采用Molding和压合半固化的荧光片工艺来实现的，正上表面和四个侧面的荧光粉层是相同材料一体成型的结构。

但是，该结构的LED白光芯片存在以下缺陷：一、在受到外界的机械作用下容易遭受到破坏；二、不利热量传导。

专利号为US8273587B2公开了一种在芯片与基板间底部填充物，加固芯片与基板的结合力。公开号为US20140138725A1公开了一种倒装芯片贴在荧光薄膜上，并在芯片间填入反光胶制作芯片级光源的方法。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种芯片级LED光源模组，该芯片级LED光源模组具有很好的机械强度，从而避免了在应用过程中外部胶体易遭受破坏的情况的发生，并且导热性能好、光效高。

为了实现上述实用新型目的，本实用新型所采用的技术方案如下：

一种芯片级LED光源模组，包括一PCB电路板、至少一个芯片级LED光源、用以围住所述芯片级LED光源的侧壁的围堰和一次光学元件；所述芯片级LED光源设置在所述PCB电路板上，与所述PCB电路板电性连接；所述围堰设置在所述PCB电路板上，与所述芯片级LED光源的侧壁连接；所述一次光学元件设置在所述围堰上。

作为一种具体的实施例，所述围堰由反光材料制成。

进一步地，所述围堰由反射率大于95％的有机硅反光材料制成。

进一步地，所述围堰采用模具注射、压合、或模具注射和压合组合的成型工艺设置在所述PCB电路板上。

作为一种具体的实施例，所述芯片级LED光源包括有倒装型LED芯片、设置在所述倒装型LED芯片上的光转换层。

其中，所述倒装型LED芯片包括外延衬底层、生长于所述外延衬底层上表面的N型氮化镓层、生长于N型氮化镓层部分上表面的发光层、及生长于N型氮化镓层部分上表面的N型欧姆接触层，还包括生长于发光层上表面的P型氮化镓层、生长于P型氮化镓层部分上表面的P型欧姆接触层，在P型氮化镓层、P型欧姆接触层、N型氮化镓层和N型欧姆接触层上表面设置有绝缘层，在对应于P型欧姆接触层上表面的绝缘层上开设有第一通孔，在对应于N型欧姆接触层上表面的绝缘层上开设有第二通孔，在绝缘层上表面设有互相分离的P电极键合层和N电极键合层，所述P电极键合层贯穿第一通孔与P型欧姆接触层电连接，所述N电极键合层贯穿第二通孔与N型欧姆接触层电连接。

优选地，所述光转换层设置在所述外延衬底层的上方；所述围堰呈柱状或类反光杯状。

优选地，所述光转换层设置在所述外延衬底层的上方和倒装LED芯片的侧壁；所述围堰包括有侧围部、与所述侧围部连接的延伸部；所述延伸部设置在所述芯片级LED光源与所述PCB电路板的底部连接处；所述侧围部与所述芯片级LED光源的侧壁连接；所述侧围部呈柱状或类反光杯状。

作为一种具体的实施例，所述一次光学元件由透明胶材制成，所述透明胶材为有机硅、环氧、丙烯酸、聚氨酯中的一种；所述一次光学元件通过点胶、模具注射、压合、或模具注射和压合组合的成型工艺设置在所述围堰上。

作为一种具体的实施例，所述一次光学元件的形状为半球形、方形、椭圆形、菲涅尔形、蜂窝形、花生形、圆锥形、正六边形、柿饼形中的一种。

进一步地，所述芯片级LED光源与所述PCB电路板焊接的焊料的材质为Au-Sn、Sn-Ag-Cu、Sn-Ag、Sn-Cu、Sn-Ag-Bi、Sn-Ag-Bi-In、Sn-Zn、Sn-Zn-Bi中的一种。

本实用新型提供的技术方案具有如下有益效果：

本实用新型的芯片级LED光源模组，通过将芯片级光源与PCB板结合后，进一步的在结合处添加发光材料，并成型形成围堰，不仅能够提升白光LED芯片的发光效率、导热性能，而且使得芯片级LED光源模组具有很好的机械强度，能够很好的解决芯片级白光LED因受到外部的机械冲击发生破坏的问题。

进一步地，可以在围堰中成型光学透镜，实现一次光学元件，实现配光。

附图说明

图1是倒装型LED芯片的结构示意图；