[实用新型]MEMS器件、半导体器件有效
| 申请号： | 201520738345.7 | 申请日： | 2015-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN205115033U | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 季锋;闻永祥;刘琛;周浩 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张振军 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 器件 半导体器件 | ||
1.一种MEMS器件，所述MEMS器件具有密闭的腔体，所述腔体具有在第一平面内延伸的内壁，所述内壁包括用于淀积吸气剂薄膜的薄膜淀积区域，其特征在于，所述薄膜淀积区域形成有一个或多个凹槽，所述凹槽的侧壁与所述第一平面的夹角大于0°且小于180°，所述吸气剂薄膜覆盖所述凹槽的侧壁。
2.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述凹槽的侧壁与所述第一平面的夹角为20°～90°。
3.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述凹槽的形状为圆弧形、梯形或V形。
4.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述吸气剂薄膜的材料选自Ti、Zr、Tu或者其任意组合形成的合金。
5.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，相邻的凹槽之间相互邻接或具有间隔。
6.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括器件衬底和封帽衬底，所述器件衬底上形成有第一空腔，所述封帽衬底上形成有第二空腔，所述封帽衬底与所述器件衬底键合，所述第一空腔和第二空腔拼合形成所述腔体。
7.一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有在第一平面内延伸的表面，所述表面包括用于淀积吸气剂薄膜的薄膜淀积区域，其特征在于，所述薄膜淀积区域形成有一个或多个凹槽，所述凹槽的侧壁与所述第一平面的夹角大于0°且小于180°，所述吸气剂薄膜覆盖所述凹槽的侧壁。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽的侧壁与所述第一平面的夹角为20°～90°。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽的形状为圆弧形、梯形或V形。
10.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述吸气剂薄膜的材料选自Ti、Zr、Tu或者其任意组合形成的合金。
11.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，相邻的凹槽之间相互邻接或具有间隔。
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