[实用新型]一种超薄高效ABF整流桥

说明书

技术领域

本实用新型属于整流桥技术领域，具体涉及一种超薄高效ABF整流桥。

背景技术

桥式整流器是利用二极管的单向导通性进行整流，四个二极管，两两对接，输入正弦波的正半部分是两只管导通，得到正的输出；输入正弦波的负半部分时，另两只管导通，由于这两只管是反接的，所以输出仍然是正弦波的正半部分。

随着电子产品向小型化方向发展，对半导体器件的体积要求也越来越小、越来越高。传统的ABS桥式整流器由于工艺限制，厚度大约在1.2mm，占用了较大的空间，桥式整流器厚度每降低一点其结构都需要重新调整，难度大，不能够保证整流器的效率，同时在产品焊接过程中，焊锡膏高温状态下融化，相邻位置的液态焊锡极易因为分子的引力融合在一起，导致相邻芯粒相连造成低压管，方向恢复时间长，开关损耗大。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对上述缺陷，提供一种超薄高效ABF整流桥，本体薄，减小空间占据，采用反向焊接的方式，有效避免相邻焊锡融合导致的材料电性不良，反向恢复时间短，开关损耗小，效率高。

本实用新型解决其技术问题采用的技术方案如下：

一种超薄高效ABF整流桥,包括封装本体以及封装本体上的四个框架料片和四只芯粒，所述的封装本体厚度D为1.10mm，所述的芯粒为ABF芯粒，所述的框架料片设有焊接芯粒的载料平台，载料平台为边长1.50mm的正方形结构，芯粒以反向焊接的方式焊接在载料平台处，框架料片设有延伸出封装本体两侧的四个引脚，引脚底端面处于封装本体底端面底侧。

优选的，所述的封装本体还封装有圆弧标识，圆弧标识厚度为0.05mm。

优选的，所述的封装本体边角圆弧R为0.10mm。

优选的，所述的引脚底端面与封装本体底端面相距距离t为0.10±0.05mm。

优选的，超薄高效ABF整流桥的总长L为6.30±0.05mm。

本实用新型的有益效果是：采用上述方案，本ABF整流桥采用ABF芯粒，采用反向焊接的方式焊接在框架本体的载料平台处，保证了芯粒在焊接时的流动精度，有效防止了防止相邻焊锡融合导致的材料电性不良，大大提高了方向恢复的时间并减小了开关损耗，效率高，封装本体厚度薄，整体结构合理，减小了空间的占据。

附图说明

通过下面结合附图的详细描述，本实用新型前述的和其他的目的、特征和优点将变得显而易见。

图1为本实用新型的主视图。

图2为本实用新型的右视图。

图3为本实用新型的仰视图。

其中：1为封装本体，1.1为圆弧标识，2为框架料片，2.1为载料平台，3为芯粒。

具体实施方式

参照图1至图3所示的一种超薄高效ABF整流桥，包括封装本体1以及封装本体1上的四个框架料片2和四只芯粒3，封装本体1采用的塑封料为G400型混合型材料，封装本体1的厚度D为1.10mm，芯粒3为ABF1510芯粒，芯粒尺寸为53mil*53mil，框架料片2设有焊接芯粒3的载料平台2.1，框架料片2采用C194，为配合芯粒3的尺寸，载料平台为边长1.50mm的正方形结构，芯粒3以反向焊接的方式焊接在载料平台2.1处，框架料片2设有延伸出封装本体1两侧的四个引脚，引脚自封装本体引出后向下部弯折形成弯折结构，使引脚底端面处于封装本体底端面底侧且引脚底端面与封装本体底端面相距距离t为0.10±0.05mm，形成散热空间，提高散热的效率，促使本整流器的效率提高，引脚宽度为0.60mm，封装本体1还封装有圆弧标识1.1，ABF上部黑胶余量只有0.15mm，为了保证封装强度和圆弧的识别度，圆弧标识1.1的厚度b为0.05mm，为保证引脚侧边与封装本体1侧面余量以及封装本体1的强度，封装本体1的边角圆弧R为0.10mm，能够减小开模时的粘合力，减少边角“藏污纳垢”的可能性，使清模时边角不宜残留清模条杂质，成型后本超薄高效ABF整流桥的总长L为6.30±0.05mm。

焊接时，采用反向焊接的方式，在半成品进入焊接炉前，将材料倒置，由于重力的作用，高温熔化的焊锡不会融合，以预防焊锡膏在高温状态下融合，大大提高产品的可靠性能，防止电性不良，配合结构提高本整流器的反向恢复时间，本实用新型的反向恢复时间大约在160ns，相对于传统快速恢复桥式整流器的反向恢复时间200～300ns，恢复时间大大减小，提高了本实用新型的效率，同时大大减小本整流器的开关损耗。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例，并非对本实用新型做任何形式上的限制，凡是依据本实用新型的技术实质上对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化，均落入本发明的保护范围之内。