[实用新型]快速改善P型晶硅电池光致衰减的量产装置有效
| 申请号： | 201520734853.8 | 申请日： | 2015-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN204966525U | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 周肃;勾宪芳;范维涛;黄钧林;黄青松;黄惜惜;张鑫 | 申请（专利权）人： | 中节能太阳能科技（镇江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京天平专利商标代理有限公司 11239 | 代理人： | 缪友菊 |
| 地址： | 212132 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 快速 改善 型晶硅 电池 衰减 量产 装置 | ||
1.一种快速改善P型晶硅电池光致衰减的量产装置，其特征在于，包括电源(6)、恒温箱(2)、贯穿所述恒温箱(2)的传送带(3)和设置在所述传送带(3)上的硅片承载盒(1)；
所述硅片承载盒(1)包括上导电层(12)和下导电层(13)，所述上导电层(12)和下导电层(13)分别通过导线与所述电源(6)的正负极相连，P型晶硅太阳能电池片层叠堆放在所述硅片承载盒(1)内，并跟随所述硅片承载盒(1)在所述传送带(3)上同步移动，通过所述恒温箱(2)；
所述恒温箱(2)内设置有加热装置(4)和通气装置(5)，所述加热装置(4)安装在所述传送带(3)两侧的恒温箱(2)内壁上，所述通气装置(5)安装在所述加热装置(4)的周围，通入氮气或压缩空气将所述加热装置(4)产生的热量均匀传输到所述硅片承载盒(2)内的P型晶硅太阳能电池片上。
2.根据权利要求1所述的快速改善P型晶硅电池光致衰减的量产装置，其特征在于，所述加热装置(4)为加热丝，所述通气装置(5)为通气管，所述通气管(5)的出口倾斜向上，与所述传送带(3)平面呈25～75°夹角。
3.根据权利要求1所述的快速改善P型晶硅电池光致衰减的量产装置，其特征在于，所述硅片承载盒(1)的上导电层(12)的下侧面上还设置2～15根探针(15)，所述探针(15)的上端与所述上导电层(12)连接，下端与所述硅片承载盒(1)内的P型晶硅太阳能电池片表面电极连接。
4.根据权利要求3所述的快速改善P型晶硅电池光致衰减的量产装置，其特征在于，所述硅片承载盒(1)还包括绝缘底座(11)和绝缘立柱(14)，所述绝缘底座(11)安装在所述硅片承载盒(1)的底部，与所述传送带(3)直接接触；所述绝缘立柱(14)安装在所述硅片承载盒(1)的四侧，用于定位固定层叠堆放在所述硅片承载盒(1)内的P型晶硅太阳能电池片。
5.根据权利要求1所述的快速改善P型晶硅电池光致衰减的量产装置，其特征在于，所述硅片承载盒(1)内层叠堆放的P型晶硅太阳能电池片数量为55～400片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中节能太阳能科技（镇江）有限公司，未经中节能太阳能科技（镇江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520734853.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：带有负载保护的无差别输出电源转换电路
- 下一篇：大规模厚膜电阻网络的设计方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
