[实用新型]前侧图像传感器有效
| 申请号: | 201520728928.1 | 申请日: | 2015-09-18 | 
| 公开(公告)号: | CN205248275U | 公开(公告)日: | 2016-05-18 | 
| 发明(设计)人: | D·迪塔特 | 申请(专利权)人: | 意法半导体有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 | 
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;吕世磊 | 
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种前侧图像传感器,其特征在于,包括:
衬底,在半导体材料中;
有源层,在半导体材料中;
光电二极管的阵列,形成在所述有源层中;以及
绝缘层,在所述衬底和所述有源层之间。
2.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述绝缘层是具有被选择为在可见范围 内反射光子的厚度的氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,进一步包括,在所述绝缘层和所述有源 层之间的、与所述有源层具有相同导电类型的中间层,所述中间层具有比所述有源层更高 的掺杂水平。
4.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,在工作中,所述衬底被偏置在低于所述 有源层电压的电压处。
5.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述衬底和所述绝缘层是SOI衬底的整 体部分。
6.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,包括:
钝化层,在所述有源层上;
彩色滤光器的阵列,在所述钝化层上;以及
准直透镜的阵列,在所述滤光器阵列上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





