[实用新型]前侧图像传感器有效

专利信息
申请号: 201520728928.1 申请日: 2015-09-18
公开(公告)号: CN205248275U 公开(公告)日: 2016-05-18
发明(设计)人: D·迪塔特 申请(专利权)人: 意法半导体有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;吕世磊
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器
【权利要求书】:

1.一种前侧图像传感器,其特征在于,包括:

衬底,在半导体材料中;

有源层,在半导体材料中;

光电二极管的阵列,形成在所述有源层中;以及

绝缘层,在所述衬底和所述有源层之间。

2.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述绝缘层是具有被选择为在可见范围 内反射光子的厚度的氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,进一步包括,在所述绝缘层和所述有源 层之间的、与所述有源层具有相同导电类型的中间层,所述中间层具有比所述有源层更高 的掺杂水平。

4.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,在工作中,所述衬底被偏置在低于所述 有源层电压的电压处。

5.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述衬底和所述绝缘层是SOI衬底的整 体部分。

6.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,包括:

钝化层,在所述有源层上;

彩色滤光器的阵列,在所述钝化层上;以及

准直透镜的阵列,在所述滤光器阵列上。

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