[实用新型]一种SiC外延法装置

权利要求书

1.一种SiC外延法装置，其特征在于：包括壳体、碳化硅粉末筒、低温热源装置、底盖、下保温装置、外多孔石墨筒、碳化硅籽晶、碳化硅晶体、内多孔石墨筒、上保温装置、顶盖和高温热源装置；所述壳体底端中心设有安装孔，所述底盖安装在壳体底端安装孔里，所述下保温装置安装在底盖的顶面上且位于壳体内，所述低温热源装置安装在下保温装置的顶面上且位于壳体内，所述顶盖安装在壳体顶端，所述上保温装置安装在顶盖的底面上且位于壳体内，所述高温热源装置安装在上保温装置的底面上且位于壳体内，所述内多孔石墨筒上端安装在高温热源装置底端的圆柱凸台上，其下端安装在低温热源装置顶端的圆柱凸台上，所述外多孔石墨筒安装在内多孔石墨筒外圆柱面上且其下端定位在低温热源装置上，所述碳化硅粉末筒在内多孔石墨筒外圆柱面上且其底面安装在外多孔石墨筒的顶面上，所述碳化硅籽晶安装在低温热源装置顶面的中心，所述碳化硅晶体安装在碳化硅籽晶的顶面上，低温热源装置、高温热源装置和内多孔石墨筒围成的空间内充满碳化硅蒸气。

2.如权利要求1所述的一种SiC外延法装置，其特征在于：所述低温热源装置由进气口、保温外筒、加热管、导流板、第一测温点、出气口、防护罩、第二测温点、接线孔和支架组成，保温外筒外表面底端安装有支架，保温外筒左端设有进气口，导流板安装在保温外筒的内壁上，加热管通过导流板安装在保温外筒内，保温外筒顶端靠近右侧面设有出气口，出气口上安装有第一测温点，加热管右端安装在防护罩内，防护罩位于保温外筒右侧，防护罩底端设有接线孔，加热管右端设有第二测温点。

3.如权利要求1所述的一种SiC外延法装置，其特征在于：所述壳体内壁上设有保温层。

4.如权利要求2所述的一种SiC外延法装置，其特征在于：所述低温热源装置的支架上设有安装孔。