[实用新型]一种具有均匀导热功能的太阳能电池组件有效
申请号: | 201520723029.2 | 申请日: | 2015-09-17 |
公开(公告)号: | CN204991735U | 公开(公告)日: | 2016-01-20 |
发明(设计)人: | 石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/054 |
代理公司: | 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) 44283 | 代理人: | 张伶俐 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 均匀 导热 功能 太阳能电池 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种具有均匀导热功能的太阳能电池组件。
背景技术
晶硅太阳能电池的性能一方面与电池的基底材料、结构和制备工艺有关,另一方面与外界因素有关,如温度,光强。目前,为了提高电池的转换效率,太阳能电池制造商把工作的重点放在第一个方面,在硅片材料的选择、电池结构的设计和制备工艺的优化上进行了大量的研究,电池的转换效率得到了不断的提高。外界因素对电池的转换成效率同样具有很大的影响:太阳能电池封装成组件,在户外进行发电的过程中,其工作的温度和光强直接影响其发电量的大小。
温度影响太阳能电池的转换效率主要表现在其对短路电流和开路电压的影响:短路电流随着温度的升高而缓慢增加;开路电压随温度的升高线性下降,在20-100℃范围,大约每升高1℃,每片电池的电压减小2mV。整体而言,温度升高,太阳能电池的转换效率下降,典型温度系数为-0.35%/℃。亦即,如果太阳能电池温度每升高1℃,则转换效率减少0.35%。
如图1所示,现有的普通太阳能电池组件,包括依序层叠设置的玻璃1′、第一层乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)2′、电池片3′、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)4′和背板5′,上述太阳能电池组件的封装材料导电导热能力差,使得太阳能电池表面的温度分布宽,太阳能电池的热量无法发散出去,会降低太阳能电池的转换效率,降低组件的发电量;如何开发一种太阳能电池组件,使其工作温度能够尽可能的低,提高组件的发电量,成为太阳能电池工作者关注的重点。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于,提供一种能降低电池的温度和可以大大提高电池的转换效率的具有均匀导热功能的太阳能电池组件。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种具有均匀导热功能的太阳能电池组件,包括依序层叠设置的玻璃、第一层乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)、电池片、第二层乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)、第三层乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)和背板;所述第三层乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)和背板之间设有第一石墨导热层,第二层乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)和第三层乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)之间设有反光层。
作为上述方案的改进,所述反光层的可见光反射率为80~95%,厚度为1~10mm。
作为上述方案的改进,所述反光层的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
作为上述方案的改进,所述第一石墨导热层的厚度为90~150μm,导热系数为1200~1800W/mK。
作为上述方案的改进,所述背板为依序层叠设置的内层、第二石墨导热层、中间层、第三石墨导热层和外层,所述内层、第二石墨导热层、中间层、第三石墨导热层和外层之间均紧密连接。
作为上述方案的改进,所述第二石墨导热层的厚度为60~100μm,导热系数为1000~1500W/mK。
作为上述方案的改进,所述第三石墨导热层的厚度为20~80μm,导热系数为800~1200W/mK。
作为上述方案的改进,所述内层材质为聚乙烯—醋酸乙烯酯(PEVA),中间层材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET),外层材质为聚偏氟乙烯(PVDF)或聚氟乙烯(PVF)。
与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:通过在第三层乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)和背板之间设有第一石墨导热层,在背板中设置第二石墨导热层和第三石墨导热层,利用石墨材料的热传导能力强的优势,使得太阳能电池组件封装材料之间的传热均匀,太阳能电池的温度分布均匀,同时降低电池的温度,可以大大提高电池的转换效率和组件的发电量;在第二层乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)和第三层乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)之间设有反光层,使太阳光不会到达第一石墨导热层,反光层将太阳光反射回电池片再次利用,进一步提高电池组件的发电量。
附图说明
图1是现有的普通太阳能电池组件的结构示意图;
图2是本实用新型的一种具有均匀导热功能的太阳能电池组件的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的