[实用新型]一种低温太阳能电池组件有效
申请号: | 201520722147.1 | 申请日: | 2015-09-17 |
公开(公告)号: | CN205122609U | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/049 | 分类号: | H01L31/049;H01L31/0216 |
代理公司: | 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) 44283 | 代理人: | 张伶俐 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低温 太阳能电池 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种低温太阳能电池组件。
背景技术
温度是影响太阳能电池转换效率的一个主要因素,主要表现在其对短路电流和开路电压的影响:短路电流随着温度的升高而缓慢增加;开路电压随温度的升高线性下降,在20-100℃范围,大约每升高1℃,每片电池的电压减小2mV。整体而言,温度升高,太阳能电池的转换效率下降,典型温度系数为-0.35%/℃。亦即,如果太阳能电池温度每升高1℃,则转换效率减少0.35%。
图1为现有技术的太阳能电池组件的结构示意图,太阳能电池组件包括依次层叠设置的玻璃1′、第一层(EVA)2′、太阳能电池片3′、第二层(EVA)4′和背板5′,当晶体硅太阳能电池组件安装在户外,长时间经受太阳光的辐射,由于太阳光含有红外线,红外线具有热效应,会使得太阳能电池组件的表面和内部温度都很高,表面温度超过50℃,内部温度甚至达到80℃,在这种情况下,太阳能电池组件的实际发电量会大大降低,不利于光伏发电成本的降低。因此,如何开发一种降低太阳能电池组件在户外的工作温度,提高太阳能电池组件的实际发电量,成为太阳能研究者关注的重点。
本实用新型提供一种太阳能电池组件,可以降低组件的工作温度,提高太阳能电池组件实际发电量,具有成本低,工艺简单,适合大批量生产。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于,提供一种低温太阳能电池组件,能大大降低太阳能电池组件的工作温度,大大提高太阳能电池组件的实际发电量。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种低温太阳能电池组件,包括依序层叠设置的玻璃、第一层乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)、太阳能电池片、第二层乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)和背板;所述背板由依序层叠设置的第一太阳膜层、内层、中间层、外层和直接与外界太阳光接触的第二太阳膜层组成;所述第一太阳膜层粘附在内层和第二层乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)之间,所述第二太阳膜层粘附在外层外表面;所述玻璃的外表面粘附第三太阳膜层。
作为上述方案的改进,所述第一太阳膜层、第二太阳膜层和第三太阳膜层为沉积红外线反射层的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
作为上述方案的改进,所述红外反射层由铝层、氧化铝层、氧化钛层中任意一种或几种组成。
作为上述方案的改进,所述内层材质为聚乙烯—醋酸乙烯酯(PEVA),中间层材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET),外层材质为聚偏氟乙烯(PVDF)或聚氟乙烯(PVF)。
作为上述方案的改进,所述第一太阳膜层厚度为100-200μm。
作为上述方案的改进,所述第一太阳膜层能将波长大于760nm的红外光80%以上进行反射。
作为上述方案的改进,所述第二太阳膜层厚度为80-150μm。
作为上述方案的改进,所述第二太阳膜层能将波长大于1200nm的红外光80%以上进行反射。
作为上述方案的改进,所述第三太阳膜层厚度为0.1-10μm。
作为上述方案的改进,所述第三太阳膜层能将波长大于1200nm的红外光70-80%以上进行反射,第三太阳膜层能对波长小于1200nm的太阳光不能进行反射。
与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:在背板增加外界太阳光接触的第二太阳膜层,在玻璃的外表面增加第三太阳膜层,利用太阳膜层对红外线的反射作用,可以将照射到组件玻璃和背板的大部分红外线反射出去,使得组件温度升高的热源-红外线被去除,组件的工作温度得到大大的下降,有利于太阳能电池组件的实际发电量的提高;在背板的内表面增加第一太阳膜层,使得照射到第一太阳膜层上的长波光线被反射回太阳能电池片,使得长波光子被再次利用,有利于提高电池的转换效率,进一步提高太阳能电池组件的发电量。
附图说明
图1是现有技术的太阳能电池组件的结构示意图;
图2是本实用新型的一种低温太阳能电池组件的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的