[实用新型]一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置有效

专利信息
申请号: 201520721353.0 申请日: 2015-09-18
公开(公告)号: CN205038165U 公开(公告)日: 2016-02-17
发明(设计)人: 申彦春;赵国忠;刘影 申请(专利权)人: 首都师范大学
主分类号: G01N21/84 分类号: G01N21/84;G07D7/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100048 北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 连续 赫兹 实时 水印 成像 检测 装置
【权利要求书】:

1.一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置,其特征在于:该装置包括连续波太赫兹辐射源(1)、准直扩束系统(2)、高阻硅片(3)、氩离子激光器(4)、第一离轴抛物面镜(5)、第二离轴抛物面镜(6)、样品台(7)、第三离轴抛物面镜(8)、太赫兹波探测器(9)和计算机(10);

所述太赫兹波源(1)依次连接准直扩束系统(2)、高阻硅片(3)、第一离轴抛物面镜(5)、第二离轴抛物面镜(6)、样品台(7)、第三离轴抛物面镜(8)、太赫兹波探测器(9)和计算机(10);

所述氩离子激光器(4)照射到高阻硅片(3)上。

2.根据权利要求1所述的一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置,其特征在于:所述的连续波太赫兹辐射源(1)为返波振荡器、量子级联激光器或co2激光抽运连续波太赫兹辐射源。

3.根据权利要求1所述的一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置,其特征在于:所述的准直扩束系统(2)为开普勒型或伽利略型准直扩束系统。

4.根据权利要求1所述的一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置,其特征在于:所述的高阻硅片(3)厚度h=400μm,半径r=25mm,电阻率10000Ωcm。

5.根据权利要求1所述的一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置,其特征在于:所述的太赫兹波探测器(9)为焦平面阵列探测器。

6.根据权利要求1或5所述的一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置,其特征在于:所述的太赫兹波探测器(9)选用日本NEC公司的IRV-T0831C焦平面阵列相机。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首都师范大学,未经首都师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520721353.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top