[实用新型]一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置有效
申请号: | 201520721353.0 | 申请日: | 2015-09-18 |
公开(公告)号: | CN205038165U | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | 申彦春;赵国忠;刘影 | 申请(专利权)人: | 首都师范大学 |
主分类号: | G01N21/84 | 分类号: | G01N21/84;G07D7/12 |
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地址: | 100048 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 连续 赫兹 实时 水印 成像 检测 装置 | ||
1.一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置,其特征在于:该装置包括连续波太赫兹辐射源(1)、准直扩束系统(2)、高阻硅片(3)、氩离子激光器(4)、第一离轴抛物面镜(5)、第二离轴抛物面镜(6)、样品台(7)、第三离轴抛物面镜(8)、太赫兹波探测器(9)和计算机(10);
所述太赫兹波源(1)依次连接准直扩束系统(2)、高阻硅片(3)、第一离轴抛物面镜(5)、第二离轴抛物面镜(6)、样品台(7)、第三离轴抛物面镜(8)、太赫兹波探测器(9)和计算机(10);
所述氩离子激光器(4)照射到高阻硅片(3)上。
2.根据权利要求1所述的一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置,其特征在于:所述的连续波太赫兹辐射源(1)为返波振荡器、量子级联激光器或co2激光抽运连续波太赫兹辐射源。
3.根据权利要求1所述的一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置,其特征在于:所述的准直扩束系统(2)为开普勒型或伽利略型准直扩束系统。
4.根据权利要求1所述的一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置,其特征在于:所述的高阻硅片(3)厚度h=400μm,半径r=25mm,电阻率10000Ωcm。
5.根据权利要求1所述的一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置,其特征在于:所述的太赫兹波探测器(9)为焦平面阵列探测器。
6.根据权利要求1或5所述的一种连续波太赫兹实时水印成像检测装置,其特征在于:所述的太赫兹波探测器(9)选用日本NEC公司的IRV-T0831C焦平面阵列相机。
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