[实用新型]发光二极管芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种发光二极管芯片结构，特别涉及一种发光二极管芯片电极相关的结构。

背景技术

发光二极管（英文为LightEmittingDiode，简称LED）是利用半导体的P-N结电致发光原理制成的一种半导体发光器件。LED具有环保、亮度高、功耗低、寿命长、工作电压低、易集成化等优点，是继白炽灯、荧光灯和高强度放电（英文缩写为HID）灯（如高压钠灯和金卤灯）之后的第四代新光源。

当前LED芯片主要有三种结构：正装芯片、垂直芯片和倒装芯片。其中正装芯片和垂直芯片在发光面上都具有电极，用来进行电气连接。电极是多层金属结构，可见光不可穿透，因此会使真实发光面面积缩小；另外，电极的表面通常是Au，其对于可见光，尤其是600nm以下的光反射率较低，因此当芯片应用于封装结构后，受荧光粉散射的蓝光，以及荧光粉激发的光入射到Au表面后大量的光被吸收，造成光损失。还有一些结构通过表面镀银来提升反射率，但是由于硅胶材料有透气性，容易造成硫化产生，这样不仅不能提升亮度，还存在可靠性问题。

发明内容

本实用新型提供了一种发光二极管芯片结构，可以大大减弱芯片表面金属对光的吸收，从而使得相同亮度的芯片，用于封装结构后，可以得到更高的亮度。除此之外，本实用新型结构不会引起焊线不良、硫化等可靠性的问题，并且还可以保护芯片电极。

发光从下至上依次包括：基板；外延叠层以及金属电极，其特征在于：所述金属电极外表面覆盖非金属反射层。

所述非金属反射层覆盖金属电极的上表面，也可以覆盖金属电极的侧表面。所述非金属反射层还可以只覆盖电极上表面的一部分，焊线的区域不被反射层覆盖。

所述金属电极裸露部分上表面，以进行焊线。

所述非金属反射层为白色反射材料。更优的，再所述非金属反射表面覆盖有透明保护层。

本实用新型的芯片结构应用于封装结构时，封装结构的亮度可以得到大幅的提升，而且由于非金属漫反射，可以使封装结构的颜色更加均匀。

本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。

图1(a)~(c)为本实用新型之实施例1中的垂直芯片之前技术示意图，分别为芯片俯视图，截面图以及应用于封装的截面图。

图2(a)~(c)为实施例1中的本实用新型所述技术的示意图，分别为芯片俯视图，截面图以及应用于封装的截面图。

图3为实施例1中的本实用新型所述技术的示意图，反射层覆盖电极的上表面和侧表面。

图4(a)~(c)为实施例1中的本实用新型所述技术的示意图，反射层仅覆盖部分电极上表面；(a)：俯视图；(b)：截面图；(c)反射层表面覆盖透明保护层的截面图。

图5(a)~(c)为本实用新型之实施例2中的正装芯片之前技术示意图，分别为芯片俯视图，截面图以及应用于封装的截面图。

图6(a)~(c)为实施例2中的本实用新型所述技术的示意图，分别为芯片俯视图，截面图以及应用于封装的截面图。

图7为实施例2中的本实用新型所述技术的示意图，反射层覆盖电极的上表面和侧表面。

图8(a)~(c)为实施例2中的本实用新型所述技术的示意图，反射层仅覆盖部分电极上表面；(a)：俯视图；(b)：截面图；(c)反射层表面覆盖透明保护层的截面图。

图中各标号表示如下：101：垂直芯片金属电极；102，202：波长转换物质(如荧光粉)；103，203：封装支架；104：光学透镜；105，205：反射层；106，206：透明保护层；201：正装芯片金属电极；

具体实施方式

下面结合示意图对本实用新型的LED芯片进行详细的描述，借此对本实用新型如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本实用新型中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本实用新型的保护范围之内。

实施例1