[实用新型]一种掩模板和曝光系统有效
| 申请号: | 201520719092.9 | 申请日: | 2015-09-16 |
| 公开(公告)号: | CN204925610U | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
| 发明(设计)人: | 罗丽平;刘会双;胡海琛;孙增标;王涛;金基用 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗瑞芝;陈源 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 模板 曝光 系统 | ||
1.一种掩模板,包括透明基板,以及形成于透明基板表面的掩模图形;其中,所述掩模图形包括用于对应形成显示区内膜层图形的第一区和用于对应形成非显示区内膜层图形的第二区;
所述第一区和所述第二区内均设置有多个图形化掩模,且所述第一区内图形化掩模的分布密度小于所述第二区内图形化掩模的分布密度;
每个所述图形化掩模包括用于形成所述晶体管的源极的第一图形、用于形成所述晶体管的漏极的第二图形和夹设在所述第一图形和所述第二图形之间的狭缝,其特征在于,所述第一区内的所述狭缝的宽度大于所述第二区内的所述狭缝的宽度。
2.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,设所述第一区内的所述狭缝的宽度为L,所述第二区内的所述狭缝的宽度为M,M=L-L×X%,其中,0<X<100,且X与所述第二区和所述第一区内所述图形化掩模的分布密度差值成正比。
3.根据权利要求2所述的掩模板,其特征在于,所述第一图形和所述第二图形均由遮光材料构成,所述狭缝底部暴露所述透明基板。
4.根据权利要求3所述的掩模板,其特征在于,所述掩模图形设置于所述透明基板一侧的表面;
所述第一图形、第二图形均由低反射率的遮光材料构成。
5.根据权利要求4所述的掩模板,其特征在于,所述第一区和所述第二区内还设置有用于对应形成布线的布线图形,所述布线图形与所述掩模图形设置于所述透明基板同一侧的表面,且与所述第一图形和所述第二图形的材料相同。
6.一种曝光系统,其特征在于,包括权利要求1-5任意一项所述的掩模板。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





