[实用新型]一种磁控溅射装置有效

专利信息
申请号: 201520692143.3 申请日: 2015-09-08
公开(公告)号: CN205077129U 公开(公告)日: 2016-03-09
发明(设计)人: 王士敏;李绍宗;朱泽力;郭志勇 申请(专利权)人: 深圳莱宝高科技股份有限公司;重庆莱宝科技有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518057 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 磁控溅射 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及磁控溅射技术,尤其涉及一种磁控溅射装置。

背景技术

磁控溅射发生在磁场范围内,现有技术中常用移动磁场提高靶材利用率。通过匀速移动磁体形成移动磁场,让磁体做往复运动,这样可以有效提高靶材的利用率,可以让靶材的利用率达到40%至50%。但是这种设备依旧存在的问题,假设磁场的移动速度为V1,工件的移动速度为V2,磁场做往复运动时,当磁场与工件同向运动,他们的相对速度为V2-V1,当磁场与工件反向运动,他们的相对速度为V1+V2。而且,当移动磁场运动速度较慢时(与工件运行速度相比),移动磁场的移动速度对工件的膜层均匀性影响较小,但当移动磁场相对速度较快时,对工件膜层影响较大。这就导致,同向时,实际工件的镀膜速度为较低速运行,反向时,实际工件的镀膜速度为较高速运行,这样就会使量产中的工件镀膜的均匀性不一,难以保证质量以及控制废品率。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型提供一种能够解决利用移动磁场磁控溅射镀膜厚度不均问题的磁控溅射装置,可在增加靶材利用率的同时提升镀膜均匀性。

为实现上述目的,本实用新型的技术方案如下:

根据本实用新型,提供一种磁控溅射装置,其中包括:至少两个靶位、传送机构、第一驱动机构以及第二驱动机构;设置至少两个具有靶材和磁体的靶位,相邻两个所述靶位之间具有一定间距,所述靶材固定于所述靶位上,并所述磁体相对所述靶材以第二速度运动形成移动磁场且所述移动磁场具有一定功率;所述第一驱动机构设置于所述装置的至少一端,所述传送机构铺设于所述靶位的下方,所述工件放置于所述传送机构上表面,所述第一驱动机构驱动所述传送机构,所述传送机构以第一速度匀速传送所述工件穿过所述移动磁场,所述传送机构的运动方向为第一方向,与所述第一方向相反的方向为第二方向;所述磁体在所述第一方向与所述第二方向之间往复运动于所述靶材内,所述磁体完成一次往复运动的时间为一个周期;各所述靶位的所述移动磁场的初始位置互补设置。

优选地,本实用新型提供的该磁控溅射装置中的所述磁体往复运动过程中,所述功率设置为恒定。

进一步的,本实用新型提供的该磁控溅射装置中的所述第一速度恒定,设定所述间距及所述周期,使所述间距的长度与所述工件在二分之一周期内经过的距离的奇数倍相等。

进一步的,本实用新型提供的该磁控溅射装置中的所述间距恒定,设定所述第一速度及所述周期,使所述间距的长度与所述工件在二分之一周期内经过的距离的奇数倍相等。

进一步的,本实用新型提供的该磁控溅射装置中的所述周期恒定,设定所述第一速度及所述间距,使所述间距的长度与所述工件在二分之一周期内经过的距离的奇数倍相等。

优选地,本实用新型提供的该磁控溅射装置中的所述磁体往复运动过程中,所述磁体沿第一方向运动产生第一功率,所述磁体沿第二方向运动产生第二功率,且所述第一功率与所述第二功率不同。

进一步的,本实用新型提供的该磁控溅射装置中,设置所述第一功率与所述第二功率的比值等于第一速度与第二速度之和比第一速度与第二速度之差。

本实用新型提供的该磁控溅射装置中,由于磁体沿第一方向与第二方向往复运动于靶材范围内形成移动磁场,互补设置各靶位中移动磁场的初始位置,且调节移动磁场功率及相关参数实现各靶位之间移动磁场的镀膜效果互补。从而解决利用移动磁场磁控溅射镀膜厚度不均的问题,保证在增加靶材利用率的同时能够提升镀膜的均匀性。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明,附图中:

图1为本实用新型提供的磁控溅射装置一较佳实施例的结构示意图;

图2a为图1所示的磁控溅射装置移动磁场初始位置与工件同向时膜厚成形原理示意图;

图2b为图1所示的磁控溅射装置移动磁场初始位置与工件反向时膜厚成形原理示意图;

图3为图1所示的磁控溅射装置工件膜厚成形原理示意图;

图4为本实用新型提供的磁控溅射装置的磁体运动轨迹示意图。

具体实施方式

为说明本实用新型提供的磁控溅射装置所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白,以下结合附图和实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。

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