[实用新型]一种亚像素单元、阵列基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201520691409.2 申请日: 2015-09-08
公开(公告)号: CN204925570U 公开(公告)日: 2015-12-30
发明(设计)人: 李颖祎;先建波 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1343
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 像素 单元 阵列 显示装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种亚像素单元、阵列基板及显示装置。

背景技术

液晶显示装置是一种通过薄膜晶体管控制液晶,改变液晶的分子排列来实现显示的显示装置。通常的,液晶显示装置中设置有存储电容,用以在薄膜晶体管关闭之后的一预设时间段内放电,将像素电极和公共电极间的电压维持在特定的范围内,优化液晶显示装置的显示效果。

然而,由于现有的公共电极是宽度均匀的长条形电极,因此公共电极和像素电极在一个亚像素单元内形成的存储电容是相同的,无法调节一个亚像素单元内的电场分布。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种亚像素单元、阵列基板及显示装置,能够在一个亚像素单元内形成不同的存储电容,调节一个亚像素单元内的电场分布,优化显示效果。

为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:

本实用新型实施例提供一种亚像素单元,所述亚像素单元包括:第一亚像素电极、第二亚像素电极以及公共电极线;

其中公共电极线包括第一公共电极子线与第二公共电极子线;

所述第一公共电极子线与所述第一亚像素电极交叠面积大于所述第二公共电极子线与所述第二亚像素电极交叠面积。

可选的,所述第一公共电极子线与所述第一亚像素电极的交叠面积和所述第一亚像素电极的面积的比值大于第二公共电极子线与所述第二亚像素电极交叠面积和所述第二亚像素电极的面积的比值。

可选的,所述第一公共电极子线与所述第二公共电极子线均为直条形,且所述第一公共电极子线的宽度大于所述第二公共电极子线的宽度。

可选的,所述第一公共电极子线的宽度是所述第二公共电极子线的宽度的4倍以下。

可选的,所述第一公共电极子线的宽度是所述第二公共电极子线的宽度的2倍。

可选的,所述第一公共电极子线和/或所述第二公共电极子线具有通孔。

可选的,所述第二公共电极子线的一个侧边是直线,另一个侧边上具有凹槽;

可选的,所述凹槽的形状为三角形、四边形或者弧形。

可选的,所述凹槽的形状为等腰三角形或者等腰梯形。

可选的,所述第一公共电极子线和/或所述第二公共电极子线为弯折形。

可选的,所述公共电极线的连接线和栅线/数据线在空间上相交。

可选的,栅线或数据线与第一亚像素电极有交叠;或者,栅线或数据线与第二亚像素电极有交叠。

本实用新型实施例提供一种阵列基板,包括多个具有上述任一特征的亚像素单元。

本实用新型实施例还提供一种显示装置,包括具有上述任意特征的阵列基板。

本实用新型实施例提供了一种亚像素单元、阵列基板及显示装置,亚像素单元包括:第一亚像素电极、第二亚像素电极;其中公共电极线包括第一公共电极子线与第二公共电极子线;

所述第一公共电极子线与所述第一亚像素电极交叠面积大于所述第二公共电极子线与所述第二亚像素电极交叠面积。

因此,通过在一个亚像素单元内根据公共电极线与亚像素电极的交叠面积不同,进而形成不同的存储电容,调节一个亚像素单元内的电场分布,优化显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的一种亚像素单元的结构示意图一;

图2为本实用新型实施例提供的一种亚像素单元的结构示意图二;

图3为本实用新型实施例提供的一种亚像素单元的公共电极的结构示意图一;

图4为本实用新型实施例提供的一种亚像素单元的公共电极的结构示意图二;

图5为本实用新型实施例提供的一种亚像素单元的结构示意图三;

图6为本实用新型实施例提供的一种亚像素单元的结构示意图四;

图7为本实用新型实施例提供的一种亚像素单元的结构示意图五;

图8为本实用新型实施例提供的一种亚像素单元的结构示意图六;

图9为本实用新型实施例提供的一种亚像素单元的结构示意图七;

图10为本实用新型实施例提供的一种亚像素单元的结构示意图八;

图11为本实用新型实施例提供的一种亚像素单元的结构示意图九。

具体实施方式

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520691409.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top