[实用新型]一种新型超声换能器有效
申请号: | 201520686579.1 | 申请日: | 2015-09-07 |
公开(公告)号: | CN204933926U | 公开(公告)日: | 2016-01-06 |
发明(设计)人: | 马晓雯;李翔;黄海涛;陈友伟;袁建人 | 申请(专利权)人: | 上海爱声生物医疗科技有限公司 |
主分类号: | B06B1/06 | 分类号: | B06B1/06 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 封喜彦;胡晶 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 超声 换能器 | ||
1.一种新型超声换能器,包括匹配层,压电层和背衬层,其特征在于,所述压电层和所述背衬层之间设有高声阻抗层,所述高声阻抗层为声阻抗大于所述压电层的声阻抗的层,且所述压电层的厚度基本为四分之一波长。
2.如权利要求1所述的新型超声换能器,其特征在于,所述高声阻抗层为一层或由多层叠加而成。
3.如权利要求1所述的新型超声换能器,其特征在于,所述压电层为一层或由多层叠加而成。
4.如权利要求1或3所述的新型超声换能器,其特征在于,所述压电层的材料选自压电陶瓷、压电单晶、压电复合材料或压电聚合物。
5.如权利要求1所述的新型超声换能器,其特征在于,所述匹配层为一层或由多层叠加而成。
6.如权利要求1所述的新型超声换能器,其特征在于,所述超声换能器还包括引出阵元用的电路板。
7.如权利要求6所述的新型超声换能器,其特征在于,所述超声换能器用于阵元引出的方式是:所述电路板设置在所述高声阻抗层的上表面或下表面,或所述电路板设置在所述压电层的上表面或下表面,或所述电路板设置在所述匹配层的上表面或下表面,或所述电路板设置在所述压电层的侧面,或所述电路板设置在所述背衬层中。
8.如权利要求6或7所述的新型超声换能器,其特征在于,所述电路板为印制电路板或者柔性电路板,并且所述电路板为一层或多层电路板。
9.如权利要求6或7所述的新型超声换能器,其特征在于,在所述电路板和所述背衬层之间加入用于控制换能器激发与接收的专用集成电子电路芯片ASIC。
10.如权利要求1所述的新型超声换能器,其特征在于,所述超声换能器还包括引出阵元用的非电路板导电材料件,所述非电路板导电材料件固定在所述压电层的表面或固定在所述超声换能器中除所述压电层之外的具有金属镀层材料的表面或者导电材料的表面。
11.如权利要求1所述的新型超声换能器,其特征在于,所述超声换能器为1D、1.25D、1.5D、1.75D或2D阵列超声换能器。
12.如权利要求1所述的新型超声换能器,其特征在于,所述超声换能器为单阵元换能器或由多个阵元按同心环的方式排列的超声换能器。
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