[实用新型]一种PECVD沉积炉限位装置有效
| 申请号: | 201520685013.7 | 申请日: | 2015-09-07 |
| 公开(公告)号: | CN204885203U | 公开(公告)日: | 2015-12-16 |
| 发明(设计)人: | 杨建;徐森 | 申请(专利权)人: | 山东禹城汉能薄膜太阳能有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C16/54 |
| 代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 李桂存 |
| 地址: | 251200 山东省德州*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 pecvd 沉积 限位 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种薄膜太阳能电池生产设备,尤其涉及一种PECVD沉积炉限位装置。
背景技术
薄膜太阳能电池作为一种新型的太阳能电池技术,与晶硅比较其更好的弱光效应和柔性等特点,成为太阳能领域的后起之秀。在太阳能薄膜电池的生产过程中,PECVD技术在薄膜生产中占有很大的主导地位,在PECVD工序中,电极的起辉决定着产品的成败。其中进电组件作为连接射频系统中射频电源、匹配器和产品载体工件架的连接装置,是射频信号进入真空反应腔室必不可少零部件,它的使用期限损坏程度对设备的稼动率和产品良率有着极大的影响,但由于生产过程中进出炉时间的严格控制,工作人员的不规范操作,进电组件受力集中等原因,进电组件的更换周期大大缩短,严重缩减了进电组件的寿命,进而增加产品报废率影响设备稼动率,在更换进电组件时由于多为角铁固定使其拆装困难,以及高温的严苛条件在组装时施工者也有很大可能对进电组件造成损坏。
发明内容
为了解决上述问题,本实用新型提供一种结构合理、受力科学、装卸方便的PECVD沉积炉限位装置。
本实用新型的技术方案为;
一种PECVD沉积炉限位装置,包括固定在沉积炉上的固定装置,其特征在于,所述固定装置通过滑动杆与限位卡槽活动连接,所述滑动杆下端设有角铁,所述角铁设有呈同一直线的若干限位孔,所述角铁与限位装置连接。
进一步的,所述限位装置包括上固定块、下固定块和限位块,所述上固定块与下固定块通过弹簧销连接,所述限位块设有两个带孔销,所述两个带孔销之间设有固定槽,所述下固定块顶端设有两个可插入带孔销的固定键,所述下固定块的下端设有U型环。
进一步的,所述限位卡槽为弧形。
进一步的,所述滑动杆通过销子固定。
本实用新型的有益效果为:
1.在生产员工插拔进电组件过程中对进电组件的形变进行控制,按照设定的弧度尽量避免出现弯折严重的区域,减少进电组件在限位卡槽处的因应力集中造成的损坏,从而达到延长进电组件寿命的目的。
2.限位装置可以更加方便的进行拆卸对进电组件起到了保护作用,提升进电组件使用寿命,延长更换周期,大大提高设备稼动率,降低产品报废率和成本,减少技术人员的劳动强度。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图2为限位装置结构示意图。
图中,1固定装置,2限位卡槽,3滑动杆,4角铁,5限位孔,6限位装置,7上固定块,8下固定块,9限位块,10U型环,11销子,61弹簧销,62带孔销,63固定键,64固定槽。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行进一步说明。
一种PECVD沉积炉限位装置,包括固定在沉积炉上的固定装置1,其特征在于,所述固定装置1通过滑动杆3与限位卡槽2活动连接,所述滑动杆3通过销子11固定;
所述滑动杆3下端设有角铁4,所述角铁4设有呈同一直线的若干限位孔5,所述角铁4与限位装置6连接。
进一步的,所述限位装置6包括上固定块7和与上固定块7通过弹簧销61连接的下固定块8,还包括用于确定限位装置6位置的限位块9,所述限位块9设有两个带孔销62,所述下固定块8顶端设有两个可插入带孔销62的固定键63,所述两个带孔销62之间设有固定槽64用来固定进电组件,带孔销62插入限位孔5中同时固定键63插入带孔销62中使角铁4与限位装置6固定连接,使所述下固定块8的下端设有U型环10。
具体的,所述限位卡槽2为弧形,按照工艺需要确定弧度,避免使进电阻件出现弯折严重的区域,从而达到延长进电组件寿命的目的。
在使用时,安装好的进电组件被限位装置6牢牢固定,减少使用时进电组件的晃动和对进电组件根部的损坏,此时根据放置产品的工件架位置将2弧形限位定位后将定位销11放下固定弧形限位。这样操作进电组件时,进电组件会根据弧形进行弯曲,减少因为不良变形引起的受力不均匀,从而减少个别位置的受力集中,延长进电组件的使用寿命,从而提高设备稼动率和产品良率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





