[实用新型]用于硅片切割砂浆的金属离子吸收装置有效
申请号: | 201520682309.3 | 申请日: | 2015-09-06 |
公开(公告)号: | CN204894262U | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 张鹏杰;李咏梅;孔德龙;李金东;牛龙;金鹏;冯海刚 | 申请(专利权)人: | 陕西天宏硅材料有限责任公司 |
主分类号: | B28D7/00 | 分类号: | B28D7/00;B28D5/04 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 宋秀珍 |
地址: | 710006 陕西省咸阳*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 硅片 切割 砂浆 金属 离子 吸收 装置 | ||
技术领域
本实用新型属硅片切割技术领域,具体涉及一种用于硅片切割砂浆的金属离子吸收装置。
背景技术
硅片加工领域中,多线切割是硅片加工最常用的一种加工方式。在切片机正常运行及人员操作稳定的情况下,硅片加工质量和切割过程的稳定性主要取决于砂浆的质量。目前砂浆在使用过程中存在以下问题:一是切片工艺需要用到钢线,在钢线高速运动带动砂浆磨削单多晶晶块的同时,钢线本身也被磨损,通常钢线的磨损量从几个μm到几十个μm不等,由于钢线被磨削下来的小尺寸金属离子通常在小于1μm的量级很容易悬浮在砂浆中,易导致砂浆质量变差,使切割能力减弱;二是金属离子中的铁成分会有部分溶于砂浆,使脏片发生概率增大,且使得整个砂浆循环系统中回收砂浆质量下降;三是砂浆中的杂质成分即金属离子导致切割硅片表面出现杂质划痕或线痕,从而增加了切片过程中的隐裂片、厚薄片、线痕片、缺角片和碎片的比例,切片优良率及效益受到影响。因此有必要提出改进。
实用新型内容
本实用新型解决的技术问题:提供一种用于硅片切割砂浆的金属离子吸收装置,将装有磁铁的支架固定于切片机内部和外部过滤系统中,通过磁铁对砂浆中的金属离子特别是铁离子进行吸附,提升回收砂浆的品质,降低砂浆使用成本,减少线痕片、划伤片及脏片等的发生率,有效保证硅片表面质量。
本实用新型采用的技术方案:用于硅片切割砂浆的金属离子吸收装置,包括支架和磁铁,所述支架包括与硅片切片机固定连接的法兰盘,所述法兰盘上设有支撑板,所述磁铁通过销钉固定于支撑板上。
其中,所述磁铁上均匀设有多个孔。
进一步地,所述法兰盘上设有四个支撑板,所述四个支撑板排成四方镂空结构,所述磁铁与支撑板间隙配合,所述支撑板上设有销孔,所述销钉两端与销孔适配并对磁铁进行限位。
进一步地,所述法兰盘上设有固定螺纹孔,螺钉穿过固定螺纹孔将法兰盘固定在硅片切片机上。
进一步地,所述法兰盘和支撑板均采用不锈钢制成。
本实用新型与现有技术相比的优点:
1、通过支架将磁铁固定于切片机过内外滤系统中,磁铁对砂浆中的金属离子特别是铁离子进行吸附,提升回收砂浆的品质,降低砂浆使用成本,减少金属离子磨削硅片造成的线痕片、划伤片及脏片等不合格品的发生率,有效保证硅片表面质量;
2、磁铁上均匀设有多个孔,使磁铁呈多孔状,有利于砂浆顺畅流动;
3、磁铁通过销钉固定于支架上,并且法兰盘通过螺钉固定于切片机上,可方便的对磁铁进行拆装,定期对磁铁进行更换和清理;
4、法兰盘和支撑板均采用不锈钢制成,防止使用过程中对砂浆再次造成污染。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图1描述本实用新型的实施例。
用于硅片切割砂浆的金属离子吸收装置,包括支架1和磁铁2,所述磁铁2上均匀设有多个孔21,使磁铁2形成多孔结构,有利于砂浆流动,减小对砂浆流动的阻力。所述支架1包括与硅片切片机固定连接的法兰盘11,所述法兰盘11上设有固定螺纹孔111,螺钉穿过固定螺纹孔111将法兰盘11固定在硅片切片机上;所述法兰盘11上设有支撑板12,具体的,所述支撑板12的个数采用四个,所述四个支撑板12排成四方镂空结构,所述磁铁2与支撑板12间隙配合,防止磁铁2磨损而导致其磁力下降,影响其使用效果,所述支撑板12上设有销孔121,所述销钉13两端与销孔121适配并对磁铁2进行固定限位。上述支架1与切片机的固定方式及磁铁2与支架1的固定方式,都有利于磁铁2的拆装,对磁铁2进行更换或对且表面进行周期性清理,保证磁铁2的吸附性能。所述法兰盘11和支撑板12均采用不锈钢制成,防止本装置在使用过程对砂浆造成二次污染。
使用时,将本实用新型通过法兰盘1固定于切片机内部砂浆循环及过滤系统中,或安装于切片机外部砂浆循环及过滤系统中,磁铁2对砂浆中的金属离子特别是铁离子进行吸附,减少回收砂浆中金属颗粒含量,提升回收砂浆的品质,降低砂浆使用成本;同时,减少金属离子对硅片磨削而造成的隐裂片、厚薄片、线痕片、划伤片及脏片等不合格品的发生率,提高硅片表面质量;本实用新型结构简单,体积小,节约空间,制造成本低。
上述实施例,只是本实用新型的较佳实施例,并非用来限制本实用新型实施范围,故凡以本实用新型权利要求所述内容所做的等效变化,均应包括在本实用新型权利要求范围之内。
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