[实用新型]一种方管式三极管有效

专利信息
申请号: 201520678992.3 申请日: 2015-09-04
公开(公告)号: CN204834627U 公开(公告)日: 2015-12-02
发明(设计)人: 李群星 申请(专利权)人: 李群星
主分类号: H01L29/73 分类号: H01L29/73;H01L23/48;H01L23/367
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 325007 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 方管式 三极管
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种三极管,尤其涉及一种方管式三极管。

背景技术

三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。

目前的三极管的接线端均为圆管,不能够满足一些特殊的使用场合,且圆管形的接线端散热性能差,降低了三极管的使用寿命。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了克服现有技术的不足,提供了一种方管式三极管,能够提高三极管的散热性能,增强其使用寿命。

本实用新型是通过以下技术方案实现:

一种方管式三极管,包括三极管壳体,所述三极管壳体呈长方体状,在三极管壳体的上端设置有安装壳体,在所述安装壳体的中间位置贯穿设置有通孔,所述三极管壳体的下端安装有三根接线端杆,分别为集电极端杆、发射集端杆以及基极端杆,所述集电极端杆、发射集端杆和基极端杆均为方形,且可拆卸安装在三极管壳体的下端,在所述三极管壳体的左侧端面到右侧端面上开设有若干个散热槽,并在三极管壳体的表面开设有若干个散热孔。

作为本实用新型的优选技术方案,所述散热槽的截面为三角形,且所述散热槽的数量为三个,相邻的散热槽之间的距离相等。

作为本实用新型的优选技术方案,所述散热槽的深度为5mm-8mm。

作为本实用新型的优选技术方案,所述散热孔的截面为圆形,其深度为5mm-8mm。

与现有的技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型结构简单、设计合理,通过将集电极端杆、发射极端杆以及基极端杆设置成方形状,能够增大其散热面积,通过设置有散热槽和散热孔,进一步提高其散热效果,增加三极管的使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型的轴测图;

图2为本实用新型的主视图。

图中:1-三极管壳体;2-安装壳体;3-通孔;4-集电极端杆;5-发射集端杆;6-基极端杆;7-散热槽;8-散热孔。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。

请参阅图1,图1为本实用新型的结构示意图。

本实施例提供了一种方管式三极管,包括三极管壳体1,所述三极管壳体1呈长方体状,在三极管壳体1的上端设置有安装壳体2,在所述安装壳体2的中间位置贯穿设置有通孔3,所述三极管壳体1的下端安装有三根接线端杆,分别为集电极端杆4、发射集端杆5以及基极端杆6,所述集电极端杆4、发射集端杆5和基极端杆6均为方形,且可拆卸安装在三极管壳体1的下端,在所述三极管壳体1的左侧端面到右侧端面上开设有若干个散热槽7,并在三极管壳体1的表面开设有若干个散热孔8。通过将集电极端杆4、发射极端杆5以及基极端杆6设置成方形状,能够增大其散热面积,通过设置有散热槽7和散热孔8,进一步提高其散热效果,增加三极管的使用寿命。

在本实施例中:所述散热槽7的截面为三角形,且所述散热槽7的数量为三个,相邻的散热槽7之间的距离相等,所述散热槽7的深度为5mm-8mm,所述散热孔8的截面为圆形,其深度为5mm-8mm。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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