[实用新型]一种化合物半导体用合成炉有效
| 申请号： | 201520676445.1 | 申请日： | 2015-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN204959081U | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 于晖;魏登科;樊玉 | 申请（专利权）人： | 西安西凯化合物材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/40;C30B29/48 |
| 代理公司： | 西安吉盛专利代理有限责任公司 61108 | 代理人： | 邱志贤 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区科技*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体 合成 | ||
【权利要求书】：
1.一种化合物半导体用合成炉，包括炉体（1）、炉膛（2）以及支架（3），所述炉膛（2）设于炉体（1）内，其特征在于：所述炉体（1）与支架（3）之间通过铰链一（6）连接，支架（3）上还固定有伺服电机（4），伺服电机（4）的转轴与连杆二（8）的右端固定连接，连杆二（8）的左端与连杆一（7）的下端铰接，连杆一（7）的上端通过铰链二（13）与炉体（1）的左端连接；所述炉膛（2）沿其表面绕有加热炉丝（9）；炉膛（2）与炉体（1）之间填充有保温介质（11），该保温介质（11）以炉体（1）的中间部位为分界，其左半部分的导热系数低于右半部分的导热系数。
2.如权利要求1所述的一种化合物半导体用合成炉，其特征在于：所述炉膛（2）左右贯穿于整个炉体（1），炉体（1）的左右两端均设有隔热炉盖（5）。
3.如权利要求1所述的一种化合物半导体用合成炉，其特征在于：在所述炉体（1）长度的中点处的左右两侧15cm处各设有一个深入炉膛（2）内的用于测量炉膛（2）内温度的热电偶（10）。
4.如权利要求1所述的一种化合物半导体用合成炉，其特征在于：所述炉膛（2）采用刚玉制成。
5.如权利要求4所述的一种化合物半导体用合成炉，其特征在于：所述炉膛（2）为圆筒状结构。
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