[实用新型]瞬态电压抑制器封装组件

说明书

技术领域

本实用新型涉及微电子技术领域，更具体地，涉及瞬态电压抑制器封装组件。

背景技术

瞬态电压抑制器TVS(TransientVoltageSuppressor)是在稳压管基础上发展的高效能电路保护器件。TVS二极管的外形与普通稳压管无异，然而，由于特殊的结构和工艺设计，TVS二极管的瞬态响应速度和浪涌吸收能力远高于普通稳压管。例如，TVS二极管的响应时间仅为10^-12秒，并且可以吸收高达数千瓦的浪涌功率。在反向应用条件下，当承受一个高能量的大脉冲时，TVS二极管的工作阻抗会快速降至极低的导通值，从而允许大电流通过，同时，将电压箝位在预定水平。因此，TVS二极管可以有效地保护电子线路中的精密元器件免受各种浪涌脉冲的损坏。

传统的TVS二极管的制造工艺比较简单，一般是在P+衬底/N+衬底上通过异型掺杂直接形成PN结。TVS二极管的响应速度与其电容密切相关。传统的TVS二极管主要应用在消费类电子产品中的数据端子，如键盘、侧键和电源线等。由于此类端子速度较慢，对TVS二极管的瞬态响应速度要求不高，电容一般在20pF以上。然而，视频数据线具有极高的数据传输率(其数据传输率高达480M，有的视频数据传输率达到1G以上)。因此，对于视频线路的保护，传统的TVS二极管的瞬态响应速度就不能满足使用要求。在视频传输中，TVS二极管的电容要求小于1.0pF。

在申请号为CN201420858051.3的中国专利申请中，公开了一种由三个分立器件集成在一个芯片上形成的TVS器件。如图1所示，该TVS器件包括第一二极管D1、第二二极管D2和齐纳二极管ZD，其中第一二极管D1和齐纳二极管ZD反向串联。第一二极管D1和齐纳二极管的阳极分别连接信号端I/O和接地端GND，第二二极管D2的阳极和阴极分别连接信号端I/O和接地端GND。在浪涌发生时，如果在信号端I/O和接地端之间承受正电压，并且正电压的数值高于齐纳二极管ZD的击穿电压，则产生沿着第一二极管的正向和齐纳二极管的反向流动的电流，从而起到ESD防护的作用。如果在信号端I/O和接地端之间承受负电压，则仅第二二极管D2正向导通。

在图1示出的TVS器件是单向器件，其中，普通的整流二极管作为小电容值的附加电容，与齐纳二极管串联。该TVS器件的电容值将取决于附加电容的电容值。该TVS器件包括在一个芯片中集成的多个分立器件，从而极大地降低了封装成本，但是制作工艺相对复杂。在不考虑工艺复杂度和成本的前提下，可以实现低电容单向ESD防护功能。然而，该TVS器件包括两个相反方向的电流路径，从而不能直接用作双向器件。此外，由于寄生效应及散热不良，该TVS器件也很难达到较高的瞬态功率。

因此，期望开发新型的TVS器件，在提高瞬态响应速度的同时，兼顾单向和双向应用要求，降低工艺复杂度和成本，以及提供高保护电压。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种可以采用容性二极管组件提高瞬态响应速度的单向或双向TVS封装组件。

根据本实用新型，提供一种瞬态电压抑制器封装组件，其特征在于，包括：封装框架，包括多个引脚；第一容性二极管组件，安装在所述多个引脚中的第一引脚上；以及第一齐纳二极管，安装在所述多个引脚中的第二引脚上，其中，所述第一容性二极管组件与所述第一齐纳二极管之间经由第一键合线电连接。

优选地，所述第一容性二极管组件包括两个反向并联的二极管。

优选地，所述第一容性二极管组件为单个管芯，其中包括用于短接相反类型的掺杂区的导电路径。

优选地，所述导电路径包括金属层或导电通道。

优选地，所述第一齐纳二极管为单向或双向齐纳二极管。

优选地，所述第一容性二极管组件的任意一端与所述第一齐纳二极管的任意一端电连接。

优选地，所述封装组件还包括：第二容性二极管组件，安装在所述第二引脚上；以及第二齐纳二极管组件，安装在所述第一引脚上，其中，所述第二容性二极管组件与所述第二齐纳二极管之间经由第二键合线电连接。

优选地，所述封装组件还包括：第二容性二极管组件，安装在所述第一引脚上；以及第二齐纳二极管组件，安装在所述多个引脚中的第三引脚上，其中，所述第二容性二极管组件与所述第二齐纳二极管之间经由第二键合线电连接。

优选地，所述封装组件还包括：第二容性二极管组件，安装在所述多个引脚中的第三引脚上；以及第二齐纳二极管组件，安装在所述第一引脚上，其中，所述第二容性二极管组件与所述第二齐纳二极管之间经由第二键合线电连接。